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mos管的源极和漏极（mos管的源极和漏极掺杂浓度）

发布时间：2023-06-04
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mos管的源极,栅极,漏极的名子是怎么来的???怎么记忆???

栅极，源极，漏极，三个名字是从英文而来的。栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。

gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。

MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?

1、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

2、电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

3、因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。

MOS管的三个极分别是什么

MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。

UDSUGS-UGS(th)时，恒流区（相当于三极管放大区）；你现在可以计算一下：UDS=8VUGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。

mos管工作原理

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。

mos管源极漏极电流相不相等?

1、场效应管是电压控制型，输入电阻很高，可以达到亿欧或兆亿欧的数量级，所以说其栅极电流数量级很小，基本为零。在场效应管漏源导通时，其漏极电流和源极电流可以说是相等的。

2、作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。对应电位不同。

3、通常不相等。导通后存在导通电阻，别说是“半导体”，就是良导体都是存在电阻的，那么导通电流流过这个等效电阻时就会有电压降，电压就不会相等。

4、MOS管是电压控制型器件，由于工艺等问题不要说同一个型号，就是同一个公司、同一个批次的伏（栅源电压）安（源电流）曲线也不一定一样，要做电流源必须要有反馈，将输出的电流信号反馈给输入端，才能使电流源稳定。

增强型MOS管的源漏极能不能反接?

1、MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

2、一般功率MOS管是有方向的，你可是测试一下，源漏可以等效成一个二极管。接反了就直通了。

3、当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。

4、漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。

5、好奇葩的问题！如果源级电压小于漏极电压，那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压，也就是开启。如果源级电压高于漏极电压，那两者就反过来了，还是开启。

6、那么CMOS就不一样了，CMOS是水平结构，漏极D和源极S是对称的（看图），左右翻转是没问题的。如果有CMOS IC版图设计经验的人都明白。我说的是集成电路设计。综上所述，NPN你可以那么用，但是要注意对性能的影响。

关键词：二极管处于 寄生二极管 二极管方向 mos管 电阻 三极管截止

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