mos管驱动电路（mos管驱动电路原理图怎么设计）

发布时间：2023-06-05

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这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

QQ2是互补输出级，也就是互补输出形式的共集放大电路，主要用意是改善输出电阻，增强输出电流的能力（或者说带负载的能力）。不过这个电路怎么看都有点别扭，设计得不是特别好。

有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。

MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系，因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些，特别是关断的要求比较高，为了让MOS用起来更简单，就出现了驱动电路这类东西。MOS管当然不用驱动电路，也完全可以工作。

因为MOSFET的栅极电压通常都比较“奇葩”，不能直接与数字电路等控制电路对接，所以需要一个驱动电路来转换电平以及改善一些信号特性（比如脉冲边沿）。

电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

mos管驱动电路（mos管驱动电路原理图怎么设计）

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

Q5为NMOS管，R12为限流电阻（或是偏置电阻），源漏之间的二极管为保护二极管。源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为0.7V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。

电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

1、在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。

2、R40/R41是mosfet栅极驱动电阻，用于调节栅极导通关断时间，减小mosfet被噪声击穿的可能。C2D14是自举升压电路，用于驱动高压侧mosfet。

3、其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

4、(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

5、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。

芯片，又称微电路、微芯片、集成电路(英文：integrated电路，IC).它是指包含集成电路的硅芯片，非常小，往往是计算机或其他电子设备的一部分。芯片是半导体元器件产品的总称。是集成电路(IC，完整的电路)载体，其由晶片分割。

芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用0来表示。

IC芯片/集成电路芯片（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件，将大量的微电子元器件（晶体管、电阻、电容等）形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。它在电路中用字母“IC”表示。

集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上。