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IGBT的吸物胡行收电容做唤过热原因有几方面构成：
1、此电容是吸收过冲能量的一个电容，要求是低损耗、高频性能好，而且要允许通过大的脉动电流；
2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料；
3、制作工罩哗艺一定要用无感办法，不能用卷绕制造方法；
4、喷金工艺不好也是发热的一个因素；
5、引出线应该用紫铜线，而不能用铁线或PC线，线径要1mm以上。
吸收电容的选择与耐压、电流和开关频率均有一定指旅的关系，一般igbt模块的吸收电容冲滚均选择uF级别。
市场上0.47uF~2uF之间，可以计算的，wima吸收电容合用
希望可唯判凳以帮到你
原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复则闹时间等。
1、开关孝盯并过程中的漏电流：在IGBT模块工作时，如果开关速度足够快，会产生大量瞬态漏电流，并在导通状态下引入大量电荷，这些电荷需要被重新收集或放散，从而形成了吸收电容效应。
2、晶巧迹体管开关过程中的反向恢复时间：IGBT模块的晶体管由PN结组成，在开关过程中，当晶体管从导通状态转变为截止状态时，PN结产生额外的电荷和电场效应，这会导致反向恢复时间延长，产生额外的吸收电容。
一种是跨接在母线正与负含洞间的电容，用来滤波的；另一种是安规谈斗枯电容，有两销宴个，跨接在正母线与外壳地，负母线与外壳地间。
以后再不要小看igbt吸收电容在电路中的作用啦，勿因小失大！
选择不好的吸收电容影响：
电容作用于IGBT,电容本身一般不容握嫌迹易坏，过滤尖峰电压能力好坏对IGBT影响很大
1，如果电压不稳定，IGBT尖峰电压将很大，IGBT很容易被击穿
2.平时不出问题，不代表以后不出问题，如果IGBT尖峰电压反复冲击，段并IGBT寿命将受影响。
之前到访好多用户，发现IGBT被击穿或IGBT寿命短，不耐用，最后发现，他们用的国产吸收电者衡容滤波不太好
IGBT使用英飞凌别以为就很有保障，IGBT吸收电容是和IGBT配合的，
其实，IGBT吸收电容很重要，要选品质好的品牌，推荐使用台湾誉电，美国CDE都可以
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