mos管的跨导（mos管的跨导值一般多大）

发布时间：2023-05-11

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本文目录一览：

1、MOS管的跨导相当于三极管的放大倍数？如果是，那跨导越大，对应放大倍数大？
2、mos管跨导参数kn单位
3、mos管跨导与反型系数的关系
4、电路中MOS管的跨导值是什么意思？

MOS管的跨导相当于三极管的放大倍数？如果是，那跨导越大，对应放大倍数大？

泛慧弊泛的讲可以这么理解，但跨导具体表征的是mos管栅极电压对漏源极电流的控制器能力，因为是通过电压控制器的电流，所以蔽迟跨导是有单位的，即西门子，而三极管是电流控制器电流，宏碧李放大倍数是没有单位的

mos管跨导参数kn单位

MOS管主要参数如下：

1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道轮渣没MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

3. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

4. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：

（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗腊纳尽层不断扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的ID

5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才能-是表征MOS管放大才能的一梁慎个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内

6. 极间电容-三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS-CGS和CGD约为1～3pF-CDS约在0.1～1pF之间

mos管的跨导（mos管的跨导值一般多大）

mos管跨导与反型系数的关系

MOS管的跨导（gm）和反型系数（猛扰µ）是两个常见的电学参数，它们之间有如下关系：

1. MOS管的反型系数µ等于跨导gm乘以静态偏置电压Vgs：

μ = gm × Vgs

2. MOS管的反型系数µ是电流Iout（输出电流）与输入电压Vin的比值：

μ = Iout / Vin

根据这两个公式，可以得出MOS管的跨导（gm）和反型系数（µ）之间的关系：

gm = µ / Vgs × Iout / Vin

从这个公式可以看出，MOS管的跨导和反型系数是相关的，但是在具体应用时，要根据实际需要选择合适的电性能参春仿数来使用。通常情况下，MOS管的跨导越大，扒知纤能够实现更好的性能表现，但它同时也可能会增加功耗或者噪声等问题；而反型系数则反映MOS管的能量效率，在电路的设计和优化中也非常重要。

电路中MOS管的跨导值是什么意思？

MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一毁拿。氏哗

不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要歼余行器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。这时候，gm就不能太大。

另外，gm越大，要造出大功率的管子难度也越大，价格越高。市面上的小功率管gm可以很高，但大功率管的话，gm一般都很小。

关键词：电容三极管的放大 mos管极间电容输入电阻电阻漏电容

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