mos管吸收电路（mos rc吸收电路）

发布时间：2023-06-05

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1、一﹑首先对mos管的VD进行分段：Ⅰ，输入的直流电压VDC；Ⅱ，次级反射初级的VOR；Ⅲ，主MOS管VD余量VDS；Ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：Ⅰ，输入的直流电压VDC。

2、开关管并联RCD电路和输出二极管并联RC电路都是吸收回路，作用就是吸收开关管关断时，漏感产生的尖峰电压，防止元件被高电压击穿。

3、这样电路形成十几-几十KHz的震荡，则变压器次级（右上）输出经D1半波整流输出高频脉动直流后经C3整流输出稳定的直流低电压；DRCC6形成高频吸收回路，一是维持Q1断开后的续流构成反激变换，另外也保护Q1。

4、你好，开关电源的RCD吸收二极管是在MOS管截止时导通的，就能把初级的反峰电压消耗在RC上，保护MOS管不被反峰电压击穿。而不是你说的“开关电源RCD吸收二极管可以在MOS管导通的时候防止输入电压直接从RCD吸收一路经过”。

5、吸收电路主要是吸收波峰，是动作波形平滑，减少干扰，避免误动作。

6、在开关电源，尤其是斩波器电路和桥式开关电源中，经常在MOS管或者IGBT两端并联吸收回路或者缓冲电路，而在单端反激式电源里通常在变压器绕组上并联RCD吸收电路。

1、这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。

2、用来吸收MOS开关瞬间的纹波的，起到保护MOS的作用，那颗电容有个专门的名字“Snubber”，容量并不一定都是0.1uf，根据实际情况选择。

3、这是过载了，芯片进入了降频保护模式。5V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。

4、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。

5、多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。

mos管吸收电路（mos rc吸收电路）

1、，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

2、放电电阻RT也是，你频率高了，需要尽短时间把MOS--G极电位归零，所以电阻小些，反过来大些，但是这样也要牺牲一点驱动电流的，所以要折中选择。

3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

4、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。