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三极管吧的简单介绍

发布时间:2023-06-05
阅读量:93

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场效应管IRFZ44可以用什么三极管代替?

没有办法代替,像IRFZ44这样的大功率MOS管,它的导通电阻很低,三极管和它的差异就比较大,你的电源电压只有7V,三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。

irfz44V不是三极管,是V-MOS场效应管。替换的时候只要是参数大于它的MOS管就可以代用,如用IRFZ4IRFP04IRFP05IRFP064等替换。

IRFZ44N:是N沟道大功率MOS管.也就是场效应管.参数:ID = 55A; PD =83W; VDS = 55V; RDS = 0.024ohm 如果电路要求不严,可以代替。

判断一个三极管已进入饱和状态的定义到底应该是什么?

估计2搂不是电类专业的,“Uce0.7V就是饱和“是火星人的三极管吧,饱和电压pnp:vce-0.3v ;npn:+0.3v 临街饱和:发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是Vbc0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V),。

三极管构成的放大电路,在实际应用中,除了用做放大器外(在放大区),三极管还有两种工作状态,即饱和与截止状态。三极管饱和状态下的特点:要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。

静态情况下: 基极电位若高于发射极电位0.65V,且高于集电极电位,即集电结与发射结均处于正向偏置时,晶体管处于饱和状态。 基极电位等于或低于发射极电位,即发射结无偏置或反向偏置时,晶体管处于截止状态。

其实很多书上都有写,深度饱和时,两个PN结均正偏,对NPN来说就是集电极电压低于基极电压。可做为深饱的判定依据。当然,Vce小于0.7V也可做为开始饱和的依据,低至0.5V以下,就可以认为是深饱了。

饱和的含义:集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再随着增加了,这种现象就叫做饱和。

集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。

电路中TTL或非门电路中发射极加高电平时集电极为什么能导通?

不能导通的话T1 b就是5v了(因为无电流则电压等于R1上端电压),而5v的话又肯定让三个PN结导通了,so...你还是会用(5-1)/R1来算电流,呵呵。

ttl集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管,所以称晶体管—晶体管逻辑门电路,简称ttl电路。ttl电路的基本环节是反相器。

实际电路不接电阻也没有问题,TTL与非门输入端内部实际相当于连接到二极管负极,即使直连Vcc由于二极管反偏也电流极微,所以接不接电阻都没有多大影响。

T4饱和,电路输出低电平。A端输入1V以下低电平电压时,T1发射极电压低于集电极4V电压,4kΩ电阻电流经T1发射结流向低电平输入端A,T2得不到电流而截止,T4截止,Ucc经R2使T3饱和导通,电路输出高电平,实现非逻辑关系。

TTL与非门电路如下图示;当输入端都为高电平时,发射结截止了,基极电压不受发射极电压的影响;可此时集电结的二极管正向特性却表示出来了,就是T1的基极-集电极一个二极管,以及T2发射结一个二极管,T3发射结一个二极管。

相当于一个晶体管在集电极与电源没有接通,当基极有输入信号1时,集电极和发射极导通,集电极输出电平为低电平,相当于将集电极与地直接相连,集电极输出电压约为0。

13003不是一个单纯的三极管吧,为什么我用数字表二极管档测EC间有...

楼主遇到的13003是内置二极管的型号,CE端内置了吸收反向浪涌的二极管。

红表笔接B,黑表笔分别接E.C,阻值约500-600.黑表笔接B,红表笔分别接EC,阻值无穷大,EC正反向测量是无穷大,13003三极管是好的。

为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。

用指针式万用表,选择RX1K挡,对任意两个电极进行正反两次测量,共6次。6次测量中,只有其中两次指针发生偏转,另外四次测量指针不动,则管子完好。若不是上述现象,则三极管出现问题。

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