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1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
3、mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。
4、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
5、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。
6、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，mos管也一样，mos管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
5、mos管也是三极管。我们常说的三极管其实是BJT它是电流型控制器件，用基射电流控制集射电流。他们的关系是 Ice（集射电流）=βIbe（基射电流）。
6、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，\x0d\x0a成本问题：三极管便宜，mos管贵。\x0d\x0a功耗问题：三极管损耗大。\x0d\x0a驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
但是栅极对源极和漏极一定是不导通的，mos管也一样，mos管也是场效应管的一种，只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。
G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。
源极、栅极、漏极的定义如下：源极（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔 接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若 电阻 很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。在每次测量前都必须将三个极短路放电。
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