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福建低压mos管（福建低压MOS管品牌）

发布时间：2023-05-14
阅读量：113

本文目录一览：

ASEMI低压MOS管AO3400的功耗是多少？

AO3400参数描述

型号枝消岩：AO3400

封装：SOT-23

特性：N沟道低压MOS管

电性参数：5.8A 30V

正向电流(Io)：5.8A

静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ

功耗（PD）：1.4W

二极管正向电压(VSD)：1.2V

最大脉冲猛御正向电流ISM：30A

零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA

工作温度：-55~+150℃

引桥唤线数量：3

AO3400是SOT-23封装系列。它的本体长度为1.7mm，加引脚长度为2.95mm，宽度为3.1mm，高度为1.3mm，脚间距为1.9mm。

高压MOS和低压MOS是怎么区分的？ 高压的是多少V以上？低压的最多是多少V的？

1、电压不同

高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。

2、反应速度不同

耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。

mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即圆肆使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

扩展资料：

MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

 做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的核升使用，当然就改腔老是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料来源：百度百科—MOS管

MOS管是什么？

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不衡肢同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制咐差世大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场庆扰效应管。

拓展资料：

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

关键词：mos管 导通电阻 福建低压mos管 电阻 三极管做开关 高压mos管

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