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三极管基极工作电压就是0.7V,但是区分三极管的工作状态是在线性区(放大状态),还是在非线性区(开关状态),要看各极的电流与电压,而不单是电压。
硅材料的三极管,工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5~0.7V,处于正向偏置。锗材料的三极管,工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1~0.3V,处于正向偏置。
这种管子都是电流驱动器件,所以重要的是电流而不是电压。基极电压大多都在0.6-0.7伏。
硅管与锗管的基极与发射极电压不同,分别是0.7V 0.2--0.3V 。集电极与发射极电压可以是0--晶体管的集电极与发射极的工作电压的上限值。
工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级,从30V开始,高的可以达到1000V,甚至更高。工作电流等级,从100毫安到几安培几十安培的都有。对于不确定的三极管型号,是无法知道其工作电压和电流的。
下面是三极管各极电压的计算公式:收集极电压(Vce):Vce = Vc - Ve 其中,Vc为集电极电压,Ve为发射极电压。基极电压(Vbe):Vbe = Vb - Ve 其中,Vb为基极电压,Ve为发射极电压。
三极管各极电压计算公式:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
伏左右,硅材料pN极约0.7伏左右,所以三极管基极电压是降不到零的。三极管工作在放大状态时,发射极电压约等于基极电压,修正值是发射结的正向压降。求三极管各极电压计算公式有:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
b极电流=(5V-915V)/10k=0.0085mmA.,也=0.8572mmA-0.85mmA=0.0072mmA,理论上这两值相等,实际不等的原因有3:即电压表内阻分流误差;实际电压表误差;各标注的电阻阻值误差。
三极管导通后的Vbe电压为0.7V,通过R3的电流为0.7/330=1mA。通过R3电流必定通过R2,忽略Ib,UR2为02V。根据KVL,UR1=URUR1+UR2+UR3+UR4=24V 24-0.7-02=2UR1,解得UR1=114V。
1、PNP,发射极大于基极0.7V 锗管:NPN,基极大于发射极0.3V PNP,发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时,集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
2、求三极管各极电压计算公式有:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称,三极管具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
3、三极管的开启电压一般在0.6~0.8V之间,由于基极的电流是非常小的,一般是不以计算的,仅计算集电极或发射极的电流,具体的计算方法要根据电路的参数来确定。
4、发射极电压(Ve):Ve = Vb - Vbe 其中,Vb为基极电压,Vbe为基极-发射极间电压。
5、锗材料的三极管,工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1~0.3V,处于正向偏置。硅材料或锗材料的三极管工作在截止状态时的基极处于0偏置或反向偏置,基极电压为0~6V(与放大或饱和导通时基极电压反相)。
6、电压越高,ib越大,ic也就越大,Rc上的电压变化也就越大,经过电容C2耦合到输出的电压也就越高。该电路最好是在B极再串联一个限流电阻,这样,当输入交流(直流无效)高压时,ib不会太大,可以保护三极管。
1、只要三极管导通,就满足:发射极电流 = 集电极电流 + 基极电流,即 Ie = Ic + Ib;如果三极管在放大区,那么还有 Ic = Ib*β 的关系。
2、PNP型三极管在工作状态下,e,b,c三者之间的电位关系为:e点电位高于b点电位高于c点电位,即Uc<Ub<Ue;C极为负电压,E极为最高电位。
3、pNP型相反,c加负电,E加正电,b加负电偏置,cE极导通。在共发射电路b输入1mA电流,cE之间有50mA电流通过,这管子的放大倍数是50。在实际应用中要根据电路要求设置偏流,使三极管工作在截止区,放大区,和饱和区。
4、好吧,假设:正电源供电12伏,NPN管子是共发射极放大电路。基极0.7伏,集电极6伏,发射极0伏,三极管处于放大区,是正常放大状态。基极0伏,集电极12伏,发射极0伏,三极管处于截止区,是截止。
5、双极型晶体管处于放大状态时,三个电极电流的大小关系是IE=(1+β)IB。IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。
6、测量三极管C极对地电压。如果C极电压为电源电压,则三极管是截至的;如果大约是电源电压的一半,三极管是处于放大状态;如果CE极电压小于1V,则三极管是饱和导通的。
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