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1、门极可关断晶闸管(Gate Turn Off THyristor,GTO)。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断,所以它是电流控制型的全控型器件。电力晶体管(Giant Transistor,GTR),GTR也是电流控制型器件。
2、全控型电力电子器件的典型代表:门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。
3、属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。
4、电压驱动型器件,例如IGBT、MOSFET、SITH(静电感应晶闸管);电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR。
5、电压控制:MOSFET,JFET,IGBT,都有栅极。电流控制:BJT,SCR 多念几遍就记住了。
1、半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
2、Thyristor—GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极晶体管。半控型器件:主要是晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。
3、大功率执行器常用开关控制器件有:晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。
1、常用全控型电力电子器件:门极可关断晶闸管。电压控制型器件:电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件:电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中,晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。
2、常用全控型电力电子器件有哪几种?[1]门极可关断晶闸管(Gate Turn Off THyristor,GTO)。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断,所以它是电流控制型的全控型器件。
3、主要有巨型晶体管GTR,功率场效应管PMOSFET,双极型绝缘栅功率晶体管IGBT,双向晶闸管GTO;和新型电力电子器件(集成门极换流晶闸管)IGCT等几种。
4、四种典型的全控型器件的容量主要有以下几点。1964年,美国第一次试制成功了500V/10A的GTO。在此后的近10年内,GTO的容量一直停留在较小水平,额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。
5、全控型器件MOSFET更适合应用在高频小功率场合.要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正 电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。
全控型器件按照电力电子器件的受控方式,可将其分为不可控、半可控和全控器件三类:不可控器件:器件本身没有导通、关断控制能力,需要根据电路条件决定其导通、关断状态,如整流二极管。
氧化锌避雷器在电力系统用应用较为广泛。它主要由主体元件、绝缘底座、接线盖板和均压环等组成。主体元件由非线性金属氧化物电阻片叠加组装,密封于高压绝缘此套内,无任何放电间隙。
中小型变频器中普遍采用电力电子器件是:IGBT模块或单管,整流二极管或可控硅等直流元件。
消耗电能是RCD缓冲电路的唯一负面影响。有效性也是一个问题,RCD缓冲电路不能主动去抑制关断时器件上尖峰电压的发生。而且聚丙烯薄膜电容器工作状况恶劣(高频,高压,脉冲,大电流)电容易失效。
关键词:电力二极管 开关控制器件 可控硅 由全控型器件构成的电源
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