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G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
分别测量每两个管脚间的正、反向 电阻 。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。
MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)。
三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。
1、角是s级 4脚是控制级g级 如果1 。2脚不通再测量3 。4脚 如果也不通 ，而7。8脚相通 5。6脚相通 1 。3脚不通则证明这是2个独立厂管集成再一起的8脚场管 那么的1。 3脚是s级 2 。4角是G级 5。6 和7。
2、只要你测量的结果大致相同（反向是不导通），三极管就是好的。当然，复合管与阻尼管会略有不同。
3、比如：1脚为5V，2脚为2V，3脚为4V。从你的例子看很明显是一个NPN型硅三极管，：1脚为c，2脚为b，3脚为e.（1）判断类型：硅管，锗管。
4、首先，需判断IGBT的极性。把万用表打在R×1KΩ挡，黑笔连接在某一电极上，红笔分别接触另外两只管脚。如果测得阻值都为无穷大，则用红笔去接黑笔之前接的管脚，黑笔分别去接触另外两只管脚。
5、、制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
6、你可测三极管基极-发射极电压来确定，这个电压是0.65-0.7V，是放大状态，0.7V以上是饱和导通状态，0.3V以下是截止状态，-0.1至-0.4V是振荡状态。这就是标准。
三个脚为基极、集电极、发射机的是三极管。三个脚为栅极、漏极、源极的是MOS管。三极管和MOS管的外形看起来很像，实际是不同的东西。
三个极只所以那样命名是因为，发射极是发射电子的，基极是控制电子的，集电极是收集电子的，故这样命名。
三极管单片机的三个引脚分别是发射极E、集电极C、基极B。NPN型与PNP型都是这三个引脚。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
从结构上看，PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体，中间的基区是N型半导体，而NPN管的集电区和发射区是N型半导体，中间的基区是P型半导体。
，3。说个简单的给你 黑表笔接d极，红表笔接s极，有500欧左右的阻值为n沟 红表笔接d极，黑表笔接s极，有500欧左右的阻值为p沟 4。
g为栅极，d为漏极，s极为源极。场管内部结构只有一个二极管。场管分为：p沟和n沟。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
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