mos管rdson随温度增加（mos管温升标准）

发布时间：2023-06-06

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1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。

2、三极管是电流控制器件，可以做到高击穿电压，但是存在雪崩击穿现象，且击穿电压随温度升高而降低。

3、不一样。MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。

mos管rdson随温度增加（mos管温升标准）

本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。

它们必须获得足够的动能才可挣脱原有位置的分子应力，在低温时，粒子的热运动速度很低，必须增加足够的电场力来驱使它们脱离原位，这个电场力就要靠较高的高电压来实现。

温度对二极管的正向特性影响并不很小，大约每度变化2MV对于只有0.7V的压降就是很多了，只是与反向特性比较绝对值低而已。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

MOS1：一级平方律模型。—— 只考虑了MOSFET的基本性能；适用于长沟道、低精度的情况。MOS2：二级分析模型。

如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

TO-220/220F 这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

如下图所示是一个NMOS的模型图。MOS管是四端器件，包括源端（S）、漏端（D）、栅端（G）和衬底（B）。在标准CMOS工艺中，所有MOS管共用一个P型衬底，为了防止PN结正偏，P型衬底一般接GND。