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1、PHILIPS皇家飞利浦电子公司是欧洲最大、全球名列前茅的电子公司之一。
2、这个看应用在哪个模块，一般电源管理芯片有多个类别：线性低压降稳压器（LDO）。正、负输出电路。带有脉宽调制(PWM)的开关型电路。国产电源管理IC的话，推介英锐恩的EN405EN406EN4056。
3、广东这边么，我知道的做锂电池保护IC的品牌就很多呢。比如像深圳的HLEC&SIT这个品牌，这个牌子的锂电池保护IC我个人感觉还可以，我主要的话是看这个品牌的时间。
4、北京南电科技是一家集代理、分销、现货服务和技术服务于一体的综合性元器件服务商，主要经营二三极管、集成电路IC、MOS管、整流桥等，目前南电已获得10余家国产和进口品牌原厂的官方授权，ON品牌更是现货分销17年。
5、IC就是半导体元件产品的统称，包括：1，集成电路(integratedcircuit，缩写：IC)。2，二，三极管。3，特殊电子元件。IC芯片的产品分类可以有下面分类方法：一，集成电路的种类一般是以内含晶体管等电子组件的数量来分类。
1、场管的耐流取决于内阻。理论上根据欧姆定律，在耐压相同时内阻越小耐流越大。假如耐压耐流功率都一样时，当然是内阻越小越好。结电容有吸收尖峰、自我保护作用，同时也影响MOS管的开关速度。
2、你好：——★额定电压 48 V ，选择管子的耐压最低应该是额定工作电压的 2 倍，所以，使用大于、等于 100 V 的场效应管即可。
3、选择场效应有几个要点：VDS：一般我做电源选2倍额定.ID：一般40%富裕量.PD：40%富裕量，VGS，RDS，Tr ，Td ，温升对功率的影响都要考虑的。
4、一般用5，60V的N管，如IRF024，另外要看你控制电平的高低，如果低于5V，要注意管子的开启电压不要比你那电压低。
1、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
2、选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。
一般来说，MOS管DS电压的选择应该根据全桥开关电源的输出电压来确定。如果输出电压为12V，那么MOS管DS电压应该选择在12V以上，比如15V或者20V。如果输出电压为24V，那么MOS管DS电压应该选择在24V以上，比如30V或者40V。
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。
需大于等于输入直流电压的峰值。因在全桥拓扑中，输入电压需要经过逆变后得到交流电压，而逆变产生的输出电压会比输入电压高一定比例，最终会达到输入电压的峰值，因此功率管的耐压也需要满足这个要求。
. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高， 选择工作电流 选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。
全桥模式理想状态，MOS管最大将承受全部工作电压，考虑开关瞬态的冲击电压保护电路不可能完全吸收，通常会选择2倍耐压以上器件。 如果是工作于300V直流状态，你必须选择600V耐压的管子。
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