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1、这要看你是做实物，真的做产品。还是仿真了，仿真只有一个光耦。做实物的话，用6N137，这果高频的光耦，而低频是P521。6N137的技术资料网上非常多，下载一个看就知道了。
2、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
3、光耦是用来隔离两侧电路的，两边电路的共地点不一样。
4、可以直接驱动，因为G极电流很小，理论上只有一个结电容存在。但通常不会这样做，因为MOS管的D输入电压较高，能通过结电容给单片机的IO带来较高的尖峰电压，存在风险（MSP430的IO没有保护二极管），所以一般都会加隔离。
5、单片机 PWM 信号输出 控制 大功率LED 灯的 亮度，一般 1W 的 LED 灯 电流 大约在 300 mA 左右，三极管 功率 要大一些，或者可以 用 MOSFET 管。
两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
区别：理论不同 光耦隔离：采用光耦合器进行隔离。变压隔离：指输入绕组与输出绕组带电气隔离的变压器，隔离变压器用以避免偶然同时触及带电体，变压器的隔离是隔离原副边绕线圈各自的电流。
方便安装、变压器驱动。内置驱动体积小，是和原车卤素灯一样，极大方便安装。隔离驱动是LED行业术语，驱动电路副边与主电路有耦合关系，满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。
MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。
两种光信号控制二极管部分差别不大、电流几mA至20/3omA不等。隔离器能适应100mA以内的负载驱动。放大器多为达林顿型、M0s型、可控硅型。输出电流达A以上。驱动电机、电磁铁、大功率继电器等大功率电气设备。
用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外，光耦驱动负载能力有限，大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
光耦隔离与mos驱动的区别在隔离方式。光耦隔离驱动为电磁隔离，采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路。mos驱动是光电隔离，受自身参数的影响，频率不能做的很高。
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。
如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。
不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
关键词：电容 驱动光耦 光耦隔离 光耦 大功率继电器 可控硅 三极管功率 结电容 继电器 保护二极管 mos管驱动光耦 mos管
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