高频高压mos管（高压mos管工作原理）

发布时间：2023-05-14

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本文目录一览：

1、高频mos管型号功率
2、高压MOS和低压MOS是怎么区分的？高压的是多少V以上？低压的最多是多少V的？
3、高压mos管（场效应管）一般会用到哪些料号？

高频mos管型号功率

HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz.

常用进口高频中大功率晶体管型号2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。

常用国产高手大频中大功率晶体管型旅型号3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9。毕租竖

高压MOS和低压MOS是怎么区分的？高压的是多少V以上？低压的最多是多少V的？

1、电压不同

高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。

2、反应速度不同

耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。

mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即圆肆使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

扩展资料：

MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。

然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。

做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的核升使用，当然就改腔老是用它的开关作用。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

参考资料来源：百度百科—MOS管

高压mos管（场效应管）一般会用到哪些料号？

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。

增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。

NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。

常用料号；TO-220 TO-252 TO-3

封装MOS管 IRF7805Z ，

N型 SI4336

N型 IRF7831

N型 IRF7832

N型 IRF8721

N型 IRF7805

N型 IRF7805Q

N型 IRF7413

N型 TPC8003

N型 IRF7811

N型 SI4420

N型 SI4812

N型 IRF7313

P型 SI4405

P型 STM4439A 。。。。。。等等。

作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。侍脊

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放老册渗大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

常见的场效应管

MOS场效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一姿瞎起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

高频高压mos管（高压mos管工作原理）