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1、假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
2、首先,MOS管发热的原因是什么?MOS选型不合理,内阻较大,或者是封装导热性不好,导致温升较高。散热效果不好,MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。
3、一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数,其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。
4、问题不够详细,不过mos管发热一般有这么几种:负载过重,导致mos管过流发热。推动激励信号不足,导致mos管发热。激励信号过强,也会导致mos管发热。一般mos管工作温度都在120摄氏度以下,都可以工作的。
5、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容(几百上千Pf )因此开关开通与关断过程很长,会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
6、分析这次MOS管故障的原因,根据开关电源以前的所了解的,一般引起MOS管发热的原因是:1:驱动频率过高。2:G极驱动电压不够。3:通过漏极和源极的Id电流太高。
1、单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西, 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲,最好用N沟道的MOS。
2、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
3、用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
4、如果是普通的开关的话(频率很低)直接用个三极管就可以驱动 如果考虑两级电压的影响的话(EMC),也可以使用光耦。
5、第一,最好是继电器,其他也可以,比如MOS管,但是MOS管只能通直流电;用可控硅也行,可以通交流电;第二,电热丝两端通多少V电压,是要看你的电热丝的功率和要求以及你的电源供电的要求,不是固定的。
6、要注意,MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通,参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高,不能超过20V。
针对如上MOS发热原因:解决思路就出来了,更换内阻较小的MOS管,或者选择散热效果好的MOS管封装形式。改善MOS管散热条件,增加散热片等。
MOS管发烫就说明在MOS管上的压降过大,你要检查一下MOS管的导通状态,这种状态不是简单的好或者不好,而是一个过程,你要好好调试一下,可能是你的导通电压UGS太小了。
通过测试结果分析后,改变栅极驱动电阻阻值,选择合适的频率,给MOS管完全导通创造条件,MOS工作后有效的降低了尖峰电压,又选择了内阻更小的MOS管,使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。
额,那是因为 mos管 的内阻太大了。第一,可能mos管本身的内阻就大,选的型号不对;第二,可能mos管没有完全导通,所以内阻很大。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关,所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决:A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。
1、可以用MOS管作为热源,但各项参数不能超过。因MOS管可能比较控制复杂,用双极型好控制些。
2、将工件放在用空心铜管绕成的感应器内,通入中频或高频交流电后,在工件表面形成同频率的的感应电流,将零件表面迅速加热(几秒钟内即可升温800~1000度,心部仍接近室温)后立即喷水冷却(或浸油淬火),使工件表面层淬硬。
3、,电热丝接在M0S管S极错应改为D极。2,取掉RRRQ3。 Q2基极直接i/o口即可、由内部或外接上拉电阻驱动。以上改动即可正常工作。
4、你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路:带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
关键词:电容 保护二极管 mos管 驱动mos管 继电器 控制MOS管 可控硅 三极管控制 单片机驱动mos管 光耦 电阻 大的电容
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