mos管发烫原因（mos管发热原因）

发布时间：2023-06-06

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是不能使用的。恒流源电路mos冒烟了是对此电路造成损坏的，所以其是不能使用的，mos恒流电路，由信号源和电压控制电流源（VCCS）两部分组成。

那个按钮在断开时，并不是绝对的断开的，是有导通电阻的，是100M，见下图画红圈项，这个阻值足以让MOS管导通的。这是仿真软件的问题，当然了，这个阻值是可以改的。

FPGA代码问题：如果硬件没有问题，那么可能是FPGA的代码出现问题。尽管仿真阶段没有发现问题，但是真实硬件环境中的时序问题可能导致信号丢失。建议检查FPGA代码中的时序，包括时钟域间的信号传输、数据路径的延迟等。

1、开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。

2、根据描述，你的MOS管应该一直处于大电流工作状态，而没有起到PWM调节作用。你先不要接MOS，接VCC，测下7脚是否为VCC，8脚是否为5V，再测下其它脚看看。如果都正常再测下R4是否正常，再检查下R7与R8之间的电压。

3、电容和晶体管的选择。组件问题：请检查电路中的组件是否有故障，特别是电感、电容和晶体管的状态。配置问题：请检查电路中的配置参数是否正确，如开关频率、输入电压等。如果仍然无法找到问题，请请教专业人员帮助解决。

4、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

5、分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：1：驱动频率过高。2：G极驱动电压不够。3：通过漏极和源极的Id电流太高。

mos管发烫原因（mos管发热原因）

开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。

按你的电路结构IRF44的漏极输出最大只有10K/20/*24V-VGES（6V)=6V，电机一转动时产生反电势，会使MOS管脱离饱和状态进入放大区，使用当然会很热，加50ohm会加剧3的情况，电机因电压太低工作不了。