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1、不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必。
2、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
3、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
4、在场效应管的放大电路中,为实现电路对信号的放大作用,必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压,使场效应管工作在特性的恒流区。
1、有效值又称均方根值,将电流波形——平方——在周期上取平均——开根。MOS管与续流管的选取均应该按照最大值计算,计算有效值并没有多大意义?这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。
2、mos管的平均电流与有效电流没有什么关系。mos管的平均电流用来计算一定时间内能过的电荷量,mos管的有效电流是用来计算热量的,两者之间没有关联,所以mos管的平均电流与有效电流没有什么关系。
3、管子工作时承受的电压为电压应力,测量管子最大电压应力一般在输出短路瞬间在D、S极产生个尖峰电压值,用最小环路法测量。设计要求这个值不能超过管子承受最大的电压值,并留有余量。
4、判断、测量MOS管最有效的方法(百试百爽)判断N管和P管:不管是三脚、六脚、还是八脚,都是分D、S、G极。MOS管的D、S极皆可当输入和输出,所以在维修中需要特别留意的只是G极。
5、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的,使用电气参数测量方法无法确定,不过可以使用测量导通电阻方法估算,大约是V/导通电阻,V是参考压降,取值0.8-3,高压管取值大些,低压管取值小些。
电压应力:就是你应用中的电压与零件规格值的比值。在一般设计时,电流应力和电压应力都要满足一定的条件,类似于材料的许用拉应力、许用剪应力一样。电压应力一般不超出90%,电流应力不超出80%。
最近我看此书此页时也看不懂此意思,个人理解时参考此句话得出:参数的选择应使Vms尽量小,以保证即使有0.3Vdc的漏感尖峰叠加于Vms,开关管的最大耐压值(Vceo,Vcer或Vcev),仍留有30%的安全裕量。
电压应力就是电压与零件规格值的比值。电流应力就是你应用中的电流与零件规格值的比值。一般设计时电压应力不超出90%,电流应力不超出80%。
管子工作时承受的电压为电压应力,测量管子最大电压应力一般在输出短路瞬间在D、S极产生个尖峰电压值,用最小环路法测量。设计要求这个值不能超过管子承受最大的电压值,并留有余量。
元件应力就是元件在最恶劣的工况下工作的环境,针对元件可靠性来说的,实际主要考量电压应力和热应力。一般公司设置公司自己的降额标准,元件使用中的应力不能超过制定的标准,以获得可靠度的提高。
开关管 最大电压=电源电压+变压器泄放电压(一般是两倍电源电压)。最大电流=输出负载电流除以变压器变比。平均电流=最大电流除以占空比。
1、利用已知的波传播速度,通过直接或间接测量波的传播时间来得到液面与测量仪表间的距离,进而得到液位值。根据发射波种类有光波激光液位计超声波超声波液位计电磁波 雷达液位计。
2、激光加工作为激光系统最常用的应用,主要技术包括激光焊接、激光切割、表面改性、激光打标、激光钻孔、微加工及光化学沉积、立体光刻、激光刻蚀等。
3、激光打标是利用高能量密度的激光对工件进行局部照射,使表层材料汽化或发生颜色变化的化学反应,从而留下永久性标记的一种打标方法。
4、激光的最初的中文名叫做“镭射”、“莱塞”,是它的英文名称LASER的音译,是取自英文Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation的各单词头一个字母组成的缩写词。意思是“通过受激发射光扩大”。
5、用来触测被检测零件表面的测头装在Z轴端部。 (2)电子系统:一般由光栅计数系统、测头信号接口和计算机等组成,用于获得被测坐标点数据,并对数据进行处理。 (二)CMM的工作原理 三坐标测量机是基于坐标测量的通用化数字测量设备。
造成很高的MOS管应力尖峰,从而导致应力超标。以很高的频率反复输入高压,会造成继电器反复吸合关断,不断地冲击,给功率电路带来很大冲击。
mos管应力是指mos管子工作时承受的电压应力。测量管子最大电压应力一般在输出短路瞬间在D、S极产生个尖峰电压值,用最小环路法测量。设计要求这个值不能超过管子承受最大的电压值,并留有余量。
开机应力大的原理是在开机后外界施加给材料的力除以材料受力部位的横截面积,而抵抗变形的能力是金属材料本身的一种能力,与应力的大小是没有关系的,但是与应力施加速率、外部环境(温度、高压、腐蚀等)是有关系的。
上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值,否则下管电应力会超标。虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压,但实际产品通常只有两只串联的。
因为q1和q3是高端驱动,采用了pnp管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。如果采用三极管和mos管的结合,那么只要把q2和q4替换成n沟通的mos管就可以,因为n沟通的mos管比较成熟,也比较常见,价格也ok。
首先,栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值。其次,驱动电路结构尽量简单,最好有隔离。最后,电阻限流,然后接入到MOS管的G极即可。
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