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再简单一点，就是考虑更好的散热吧。功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
要看看是击穿还是过流烧焦，比较难确认，还有可能是触发电路误动作（我还试过是没有考虑单片机上电时输出状态不确定的误触发）。击穿马上发生过流。
用示波器看看mos管几个管脚处的电流电压，一般是脉冲尖峰击穿mos管。如果是这样的话加个吸收电路即可。
所谓四相电源就是并联四个单相电源，采用IC，MOSFET，电容来构成新型电源供电电路，满足低电压，大电流的直流-直流转换器供电电路的需求，保证电源转换的高效率和更优的电源开关电路曲线。
根据你强制上电会烧mos可以断定的是你的CPU吃VORE那部份有地方短路了，导致mos管通过的电流过大。具体你问你板子上面哪个是上管哪个是下管可以随便摆放的，我也不知道。
原因如下：MOS管质量问题，当MOS管质量低劣、使用寿命较短或者阻值过大时，容易产生高温，以致于烧毁MOS管。因此在选购MOS管时应该选择品牌好、质量可靠的产品，并注意MOS管的阻值与使用环境的匹配。
因为所属此MOS管对应供电部分有短路，这样会使场场效应管 超负荷工作，从而造成 软击穿(即肉眼观察无烧痕)或硬烧毁。例如：中央处理器短路也会造主板MOS管烧掉。有短路保护设计的则可以避免。机箱电源也是同理。
首先看负载是不是有短路的，没有的话就拆掉上管，然后检查对应的电源芯片是不是正常，还有上管的G级最好示波器看看等。烧管一般多是控制级有问题或者你换的管不对 或者负载有短路等。
烧管子？说明你直流偏置存在严重问题，场效应管处于导通状态，所以一上电就烧管子。
Vds太高或者驱动能力不足。首先使用示波器勾一下开机瞬间的Vds波形，分析一下具体工作情况。其次根据工作情况来调整Vds，使其降到正常水平。最后提升一下驱动能力即可。
因为所属此MOS管对应供电部分有短路，这样会使场场效应管 超负荷工作，从而造成 软击穿(即肉眼观察无烧痕)或硬烧毁。例如：中央处理器短路也会造主板MOS管烧掉。有短路保护设计的则可以避免。机箱电源也是同理。
电源的话开机烧MOS管有很多原因：开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿；驱动能力不足，导致管子没有完全导通，导通电阻太大热死；如果是桥式拓扑，有可能驱动的死去时间不够，导致上下管直通短路烧死。
查看管子的控制极波形是否上升和下降沿过长导致管子损耗过大发热，时间长了炸机。查看占空比是否太大，导通时间过长也会引起。查看变压器是否进入临界饱和状态活着寄生电容过大瞬间脉冲电流大引起。
1、为什么会烧，驱动电压太高，或者驱动电流太大，一般驱动电阻是不会容易烧的，你肯定有设计不当的地方。
2、，也可能元件松动，造成控制失常而出现短路性问题，整流电路有短路，大电容坏及充电器输出功率小 ，因此就烧完了MOS及限流电阻，如限流电阻冒烟造成埸效应管击穿了 。4，还有一种可能负载正负极接反同样烧充电器.。
3、用示波器看看mos管几个管脚处的电流电压，一般是脉冲尖峰击穿mos管。如果是这样的话加个吸收电路即可。
4、你好 互感器不可能造成炸mos管的现象，如果总坏一个桥建议把这个桥倒换到其他的位置试试。如果还坏这个桥可能是桥本身问题，建议拆开检查阻容吸收和桥芯电容。
5、所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管栅极不被击穿。MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
6、要看是哪种情况。开关管激励不足、激励过度都会使管子发热严重，这两种情况输出电压都正常。如果输出电压不正常，就得考虑次级是不是有短路现象。
断路：电源无输出，保险可能不断；可能烧毁IC.短路：电源无输出，保险可能烧断，或相关元件烧断，可能有糊味。
电源的话开机烧MOS管有很多原因：开机瞬间Vds太高超过管子耐压导致击穿；驱动能力不足，导致管子没有完全导通，导通电阻太大热死；如果是桥式拓扑，有可能驱动的死去时间不够，导致上下管直通短路烧死。
查看管子的控制极波形是否上升和下降沿过长导致管子损耗过大发热，时间长了炸机。查看占空比是否太大，导通时间过长也会引起。查看变压器是否进入临界饱和状态活着寄生电容过大瞬间脉冲电流大引起。
没有图？MOS管是很娇气的，静电损坏是常事，注意开发设计环生产境的防静电1。
首先看负载是不是有短路的，没有的话就拆掉上管，然后检查对应的电源芯片是不是正常，还有上管的G级最好示波器看看等。烧管一般多是控制级有问题或者你换的管不对 或者负载有短路等。
通电的MOS场效管通电的介资纯度不够，导制电阻变大，温度升高，我们知道，超导现现象是在低温下实现的，所以在低温下，导电介质是低阻抗的，一旦通电由于通电介质纯度不高，电阻很高，P=U*I*R，就会烧坏管子。
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