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mos管漏源电压（mos管的漏电流）

发布时间：2023-05-14
阅读量：107

本文目录一览：

ASEMI的MOS管24N50参数，24N50封装，24N50尺寸

编辑-Z

ASEMI的MOS管24N50参数：

型号：24N50

漏源电压（VDSS）：500V

连续漏极电流（ID）：24A

栅源电压（VGSS）：±30V

功耗（PD）：290W

漏源漏电流（IDSS）：50uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24Ω

输出桥游电容（COSS）：670pF

最大脉冲正向电流（ISM）：96A

漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：250nS

24N50封装尺寸：

封装：TO-247

总长度：41.55mm

本体长度早消孙：21.3mm

引脚长度：20.25mm

宽陆链度：16.25mm

高度：5.05mm

脚间距：5.7mm

24N50特征：

RDS(ON)=0.24Ω @ VGS=10V

高开关速度

100%雪崩测试

mos管用作放大电路漏源极间电压高,易坏吗

mos管用作放大电路，漏源间电压高，在线性放大状态，其功率对应肯定会增大。

如果是功率输出级，散热片要考虑足够大和有足够的散热空间。

因闹皮此在mos管耐压足够的情况下，主要就是散热问题，由于电压高导致温度缓弯春高，是易坏扰耐的。

mos管在饱和区时其漏源电流不受哪个电压影响

1 漏源电流不受漏极-源极电压影响。

2 这是或卜因为在MOS管饱和区，漏极-源极电压已经达到了最小值，即门源电压减去阈值电压，此时漏源电流已经被限制在饱和电流的最大值，不会再随着漏极-源极电压的变化而发生改变。

3 在MOS管的饱和区，漏源电流不受漏极-源极电压的影响，但是会受到温度和电碧宏压漂移等因素的影响，需要进行相关的校准悔团册和调整。

mos管的栅源电压和漏源电压能同时测量吗

可以。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管笑宽，英文缩写为MOSFET。mos管的栅源电压和漏源电压能同碰核亮时测量。在金属栅极氏敬与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

NTMFS4C029NT1G MOS管 电压？

你好春弯此！NTMFS4C029NT1G [N沟道晶体管扒迅] 5-DFN封装，表面闹厅贴装型。

漏源电压（Vdss）：30 V

驱动电压：4.5V，10V

关键词：mos管 输入电阻 电容 导通电阻 电阻

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