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看三极管基极与发射极之间的电压: 锗管是0.3V;硅管是0.7V.三极管导通。对于NPN型管子,是C点电位B点电位E点电位。对于PNP型管子,是E点电位B点电位C点电位。
不一定会导通。只有基极电压与发射极之间的电压大于死区电压以后,发射极才会与集电极导通。
而且应当注意的是,一旦三极管发射结正偏导通,基极和发射极之间的电压近似为0.7伏左右,而不是高于0.7伏。
pnp三极管导通条件,是发射极与基极正向偏置,也就是发射极的电位大于基极的电位(0.7V以上),集电极的电位小于发射极的电位(也有最小值要求),这两个条件要同时满足。假如e为5v b为0.7v c为0v这样的条件能导通。
1、这要看三极管的工作状态了,如果工作在放大状态,三极管集电极和发射极间必须有压差的,如果工作在开关状态,处于饱和状态时,这个压差很小,只有0.1V左右,几乎为0。
2、三极管饱和时,C~E之间的压差可认为是零伏,你对这点的理解已是对的。三极管放大时,C~E之间一定有一个压差,常见的电路,可小至1V,大者超百伏。
3、三极管导通时基极与发射极之间的电压无关,基极电压≥1V,三极管导通。
交流信号经三极管放大的的相位变化是根据晶体管的工作方式来确定的。理论上来说,在纯直流工作状态集电极输出是反向的。(180度)发射极输出的相位不会改变,其相位与输入相位一致。
这是一个电势的问题,发射极和集电极的电势是相反的,当基极无信号时,管子截止。集电极是加到电源正极,所以此时它是高电势,发射极是低电势。
有超前和滞后两种相位差… 就是你说的180 和-180 从三极管放大的角度看,可以忽略超前还是滞后。
1、不一定的,要看是什么样的电路。例如共发射极电路的输出电压就是集电极与发射极间的电压Uce,而共集电极电路(射极跟随器)的输出电压就是三极管发射极和电源地之间的电压。
2、三极管Uces:饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。Uce:负载两端的电势差引起电压降。
3、uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。此外,三极管的工作状态有三种:截止状态、放大状态、饱和状态。
4、Ucc一般指双极型集成电路的电源电压,因为这类电路中用的是双极型三极管,cc就表示多个双极型三极管,对于cmos数字集成电路大都用Udd表示电源电压,因其内部用的是MOSFET,而Uce指的是三极管c-e两极之间的电压。
5、U是电压,CE表示这是C与E间的电压。同理,UBE就是B与E之间的电压。C是集电极,E是发射极,B是基极。楼主要是三极管的引脚缩写都不认识的话,还是先补习一下基础知识再说吧。
6、这是三极管集电极和发射极之间的电压。晶体三极管在放大态时,就是一种电流控制器件(用基极电流控制集电极电流的)。
1、三个极分别叫基极、集电极和发射极。它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,两个PN结将三极管分为三个区:基区、发射区和集电区。
2、饱和状态,b极电压0.7v,c极电压0v。
3、电压高低关系不好说,各极电压跟管型有很在关系。但根据工作状态总体是两以下几个原则(适合任何型号的三极管):放大状态下:UcUbUe(PNP) 或(UeUbUc(NPN)换句话说就是发射结正偏,集电结反偏。
4、如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe)。这是对NPN型硅管。再看看别人怎么说的。
5、三极管各极的电压是由外电路决定的,并不是三极管本身决定的。
6、集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
另外,在由晶体管组成的振荡电路中,其三极管也是工作在放大区,但由于三极管的输出经选频谐振回路并同相反馈到其b、C极之间,使电路起振,那么b、e极之间的电压Ube,对于硅管来说就小于0.7V 了(一般为0.2V左右)。
先把三极管的三个脚给分清楚。然后要知道三极管是NPN还是PNP。一般说NPN管,工作在放大区的时候要求,集电极反偏,发射极正偏,这要求集电极电压基极电压发射极电压。
放大状态时,基极电压较低,发射极电压较低,而集电极电压较高,一般情况下,三极管的电压放大倍数为其集电极电压与发射极电压之比。
此时发射结电压小于0.6),晶体管成截止状态。集电极电压为0或接近0(此时发射结电压等于0.7),晶体管成饱和状态。集电极电压低于电源电压又不为零时(发射结电压在0.6-0.7时),三极管呈放大状态。
以NPN型三极管为例,E极接地。三极管开:B极电压0.65V左右,C极0.1V左右,甚至更低,E极为零;三极管关:B极电压低于0.5V,甚至更低,C极接近于电源电压,E极为零;以上是实际经验数据,请参考。
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