士兰微mos管（士兰微核心产品）

发布时间：2023-06-07

阅读量：85

本文目录一览：

1、台湾富鼎先进Advanced Power Electrical（APEC）算是台系几个功率半导体供应商里排名靠前的厂商了。产品覆盖面还算广，AC-DC控制器、DC-DC控制器、高压/低压MOSFET、IGBT等，主要还是做分立功率器件，控制器不是很好卖。

2、目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。

3、没有国产的吧。都是台湾的。我列举几个在笔记本上常用的几家。MATSUKI，IR，YEASHIN，AOS，fairchild，VISHAY，CHENMKO。

4、现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

5、V63A，500V67A，500V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A的MOS模块，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS模块。

6、V MOS管或者 650V MOS管海飞乐技术，台湾芯片，质量可靠。

士兰微mos管（士兰微核心产品）

cs12n65参数及代换，12n65参数，电流12A，电压650V，可用20n65代换。根据查询相关公开信息显示，CS12N65沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

都是N沟道场效应管/MOS管，CS12N65是12A650V，6N60是6A600V，应该可以完美替代。且前者导通电阻小于后者。

可以。场效应管第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

cs12n60f参数及代换是：cs12n60参数：电流12A，电压600V。可用cs15n65代换，cs12n60f是12A600V的大功率场效应管，可以用同类型的参数相等或大一些的管代换，也就是cs15n65代换。

r199p不可替代cs12n65，cs12n65的参数是电流12A，电压650V。而6r199p类型：N沟道场效应管。漏极电流是16A，电压是600V，两个是不同的型号，所以6r199p不可替代cs12n65。

cs10n65f用JS15N70F代换。cs10n65f和JS15N70F电源管的额定电流都是10A，额定耐压值都是650V，它俩的参数是相近的、功率性能一样可以代换。

1、首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。

3、仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等，但是一些国产MOS管也不错，新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。

4、现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

5、最好的肯定是英飞凌啦，特别是C3系列的比一般的品牌要高一个档次。其次低压比较出色的是IR，高压的也不少，比如仙童，富士，ST。东芝的现在在消费类才比较有市场。现在市场上新推的Cool-Mos，英飞凌的也是最好。

6、增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。