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1、mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
2、MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度(或者说沟道宽度)来改变S/D之间的阻抗。
3、可以。如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
4、你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路:带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
5、可以用作电子开关。MOS管为压控元件,只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小,常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
1、功耗(PD):4W 二极管正向电压(VSD):2V 最大脉冲正向电流ISM:30A 零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 AO3400是SOT-23封装系列。
2、AO3400是N型MOS管,AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚,是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。
3、场效应管AO3400可以代替bf999。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。
4、ASEMI的AO3401是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点,AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。
5、编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V,是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A,连续漏极电流(ID)为100A,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。
1、三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不能超过规定的数值,否则三极管会永久性损坏,以9013为例VCEO为25V,即CE之间最大不能超过25V。
2、三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
3、如果你用的是普通51单片机,建议你用PNP的三极管,因为单片机灌电流能力比较强,一般可达20mA,而拉电流通常只有几十微安,所以设计成灌电流比较好,我常用2N5401的PNP三极管。
mos管耐压值选择具体如下:MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。
一般来说,MOS管DS电压的选择应该根据全桥开关电源的输出电压来确定。如果输出电压为12V,那么MOS管DS电压应该选择在12V以上,比如15V或者20V。如果输出电压为24V,那么MOS管DS电压应该选择在24V以上,比如30V或者40V。
选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量。理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高。但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢。
需大于等于输入直流电压的峰值。因在全桥拓扑中,输入电压需要经过逆变后得到交流电压,而逆变产生的输出电压会比输入电压高一定比例,最终会达到输入电压的峰值,因此功率管的耐压也需要满足这个要求。
. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。如果是感性负载,或者是开关频率比较高, 选择工作电流 选择工作电流,许多工程师都在这里踩过大坑。
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