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ao系列mos管选型（aos mosfet）

发布时间：2023-06-07
阅读量：50

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MOS管在开关电路中的使用

1、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

2、MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate，源极Source，漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。

3、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

4、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

5、可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。

ASEMI低压MOS管AO3400的功耗是多少?

1、功耗（PD）：4W 二极管正向电压(VSD)：2V 最大脉冲正向电流ISM：30A 零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：3 AO3400是SOT-23封装系列。

2、AO3400是N型MOS管，AO3400在SOT-23封装里引出3个引脚，是一款高效mos管。AO3400的脉冲漏极电流(IDM)为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400的栅源电压(VGS)为±12V。

3、场效应管AO3400可以代替bf999。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

4、ASEMI的AO3401是属于场效应管，属于电压控半导体器件，AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点，AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。

5、编辑-Z 100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。

三极管和mos管的选型

1、三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO，工作时CE之间的电压不能超过规定的数值，否则三极管会永久性损坏，以9013为例VCEO为25V，即CE之间最大不能超过25V。

2、三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

3、如果你用的是普通51单片机，建议你用PNP的三极管，因为单片机灌电流能力比较强，一般可达20mA，而拉电流通常只有几十微安，所以设计成灌电流比较好，我常用2N5401的PNP三极管。

全桥拓扑选择mos管的耐压选型

mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。

一般来说，MOS管DS电压的选择应该根据全桥开关电源的输出电压来确定。如果输出电压为12V，那么MOS管DS电压应该选择在12V以上，比如15V或者20V。如果输出电压为24V，那么MOS管DS电压应该选择在24V以上，比如30V或者40V。

选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。

需大于等于输入直流电压的峰值。因在全桥拓扑中，输入电压需要经过逆变后得到交流电压，而逆变产生的输出电压会比输入电压高一定比例，最终会达到输入电压的峰值，因此功率管的耐压也需要满足这个要求。

. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高， 选择工作电流 选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。

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