英飞凌大功率mos管（英飞凌mos管选型）

发布时间：2023-05-14

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本文目录一览：

1、IPW60R017C7英飞凌MOS管强元芯电子有吗？
2、英飞凌功率MOS IGBT电桥驱动器 IR21271STRPBF
3、大功率开关作用MOS管

IPW60R017C7英飞凌MOS管强元芯电子有吗？

代稿锋理应该有的。

IPW60R017C7英飞凌MOS管参数：

型号：IPW60R017C7

连续漏极电流（ID）：109A

功耗（Ptot）：446W

贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃

漏源击并简穿电压V(BR)DSS：600V

栅极阈值电压V(GS)th：4V

零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA

栅源漏电流（IGSS）：100nA

漏源导通电阻RDS(on)：0.017Ω

输入电容（Ciss）：9890pF

输出电容（Coss）：200pF

二极管正向电压（VSD）：0.9V

反向恢复时间绝敬裤（trr）：630ns

IPW60R017C7特征：

适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）

MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns

由于同类最佳FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg提高了效率

符合JEDEC (J-STD20)的工业级应用要求和JESD22)

IPW60R017C7用于高功率/性能的PFC级和PWM级（TTF、LLC）SMPS，例如计算、服务器、电信、UPS 和太阳能。

英飞凌功率MOS IGBT电桥驱动器 IR21271STRPBF

英飞凌功率MOS IGBT电桥驱动器 IR21271STRPBF 封装SOP8

IR21271STRPBF 是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术加固的整体结构。逻辑输入为兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3 v。保护电路检测驱动功率晶体管中的过电流，并终止栅极驱动电压。提供一个漏极开路故障信号，表明已经发蔽早晌生过电流停机。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计用于最小交叉传导。浮动通道可用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT的高压侧或低压侧工作电宏锋压高达600伏的侧面配置。

特性：

•设计用于引导操作的浮动通道完全运行至+600V耐受负瞬态电压dV/dt

•应用-特定睁早的闸门驱动范围：

电机驱动：12至20V（IR2127/IR2128）

汽车：9至20V（IR21271）

•欠压锁定

•3.3V、5V和15V输入逻辑兼容

•故障导线表示已发生停机

•输出与输入同相（IR2127/IR21271）

•输出与输入不同步（IR2128）

•无铅包装