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1、MOS管的定义:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。其属于半导体主动元件中的分立器件,能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
2、mos栅源短接相当于一个体二极管,一般用来电压钳位。以PMOS栅源短接为例,其衬底和源极相连;此时源极等效为PN结的N端,漏极等效为PN结的P端,也就是说你现在看的到是一个从下方指向上方的二极管。
3、相当于快恢复的二极管 ,应为MOS管的工作频率比较高,所以它里面的体二极管工作频率也要高,所以相当于是快恢复二极管。
4、MOS管和三极管截止区:NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压,也相当于两个背靠背的二极管,不导通。
1、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
2、MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。
3、漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。
4、不是栅-漏吧,应该是漏-源才是。这个是在制造过程中,MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起,而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS:不是故意加上去的。
快恢复二极管压降比较大比如0.7V,MOS管里寄生那个好像压降小一些。另外用MOS管代替二极管,MOS管要同步开关,就是同步整流器,你的同步信号如何得到呢。
MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的,内阻低,都是毫欧级的。
就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。
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