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是图画错了？如果是这样接线的话，这个双向可控硅是长期导通的。
需要电平驱动，脉冲驱动无效，要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
触发可控硅电路推荐最好使用专用的光耦触发电路，设计电路结构简单，触发也比较可靠。若是普通光耦设计可控硅触发电路，电路设计起来比较复杂，电路参数确定也比较繁琐，可靠性不太好保证。
可控硅的特点是输入正脉冲导通，当电流反向之后自动截止，即只能控制导通不能控制截止，单向可控硅最多只能导通半个周期双向可控硅则可以正负半周导通，过零点之后越早给出脉冲那么可控硅输出电压越大。
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。
1、把负载放到上面，串联在第一阳极上。 去掉R5，直接短路。
2、可以，修过el3023控制双向可控硅接发300W的发热丝。实现调整发热丝的温度。
3、原理：光耦的2没有驱动时，6之间断路，可控硅不会导通；当2之间有驱动电流，内部的发光二极管导通，6之间低阻，在可控硅过零点几伏时可控硅就会导通。
4、因为Q1的右边无电压 解决办法是 把Q1撤掉不用， B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路：这样，当光耦导通的时候，复发电压有了，电压和T1，T2（Q2的另外两端）的方向一致，Q2便导通。
5、这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。
1、晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。
2、可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
3、光电耦合器作用就是：阻断信号源跟信号接收方的电气连接，这样可以有较的阻断电气干扰。
4、这个应该叫光耦可控硅，用它来调速的原理是用降压的方法来调速的。用它一般来控制PG电机，这种电机是单相的，有速度反馈。
1、过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。
2、光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。
3、如可控硅所在的主电路一般是交流强电回路，电压较高，电流较大，不易与微机直接相连，可应用光耦合器将微机控制信号与可控硅触发电路进行隔离。电路实例如图7所示。
4、输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。
5、当通过发光二极管通过电信号，它将产生光，这个光会照射到接收器，从而产生电流流动，这个电流是用来模拟输入信号的。因为光和电在光电耦合器内是隔离的，所以光电耦合器可以用来隔离两个电路。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
可控硅必须检测过零信号。只有零点以后触发，才会有效。而且在下一个零点到来的时候，可控硅会自动关闭。你这个程序里面只有一句P=1，没有P=0，那么这个端口一直开启，没有关闭。负载将一直投入。不可能关闭。
需要利用交流电的作触发信号，单片机生成延迟脉冲，不必使用pwm 注意是调节过零后的延迟时间，再出脉冲。
一般第二种方式比较常用。单片机控制可控硅导通角度关键在交流电过零检测电路。一般思路单片机检测到交流电零点时产生中断，经一段时间延时后触发可控硅。50HZ市电而言，延时时间必须在10毫秒以内。
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