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1、硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。
2、硅二极管：导通电压约为0.5~0.7v，二极管是电流的单向门。
3、Si二极管的正向导通电压一般是5V~6V 开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。
4、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。
5、锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
6、.5~0.7v。普通二极管si2极管导通电压的典型值，导通电压约0.5~0.7v。普通二极管si2极管导通电压的典型值约为0.5~0.7v。
1、这个一定值的正向电压，就是二极管的正向导通压降。大学学习时常把二极管导通压降认定为0.7V，但实际上，二极管的正向导通压降并不是固定不变，而是和二极管流过的电流、环境温度有关。
2、硅材料二极管：导通电压约0.5~0.7v。
3、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。
1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
3、恒流区状态。源极跟随器，是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管，该电路由于输入电阻大，输入电容小，所以源极跟随器的放大管在工作时需要在恒流区的状态来保持输入输出的电阻、电容平衡。
1、硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。
2、硅二极管：导通电压约为0.5~0.7v，二极管是电流的单向门。
3、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。
4、二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
5、硅材料二极管导通电压是0.6-0.7V之间。
1、硅二极管正向导通电压为0.5伏；锗二极管正向导通电压为0.1伏。
2、只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2v，硅管约为0.6v）以后，二极管才能直正导通。
3、锗二极管正向导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右；硅二极管正向导通电压为0.5V-0.8V，一般取0.7V，死区电压为0.5V左右。
4、正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。
5、锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。
1、二极管导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
2、二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
3、意思是：二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。
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