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1、 常用的线性光耦是 PC817A —C系列。通俗的区分是档位不同，PC817分A，B，C，D，书面上称为电流传输比（CTR）不同。
2、PC817是线性 ，要频率高（开关信号），那就可采用 。
3、HCNR200型号。HCNR200型号的光耦合器作为一种高精度线性光耦，具有低成本、高线性度、高稳定度等多种优点，能够完成多种光电隔离转换电路的设计。
4、常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
5、不适合于传输模拟量。 常用的4N系列光耦属于非线性光耦 。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。 常用的线性光耦是PC817A—C系列。
6、线性度：HCNR200：0.25%，HCNR201：0.05%；线性系数K3：HCNR200：15%，HCNR201：5%；温度系数： -65ppm/oC；隔离电压：1414V；信号带宽：直流到大于1MHz。
1、反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
2、PC357的输入端内部为一颗LED， 正向导通，反向截止 而PC354内部为两颗LED反向并联，因此可以接受交流信号。
3、“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。
4、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
5、光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。
1、工作原理 耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。
2、这个电路就光耦电路，6N137是高速光耦，当3脚输入低电平时，光电管导通，使得输出端与5脚相连，也就是输出低电平。当3脚高电平时，光电管不亮，输出高电平。
3、此外，使用这类光耦必须注意设计外围参数，使其工作在比较宽的线性带内，否则电路对运行参数的敏感度太强，不利于电路的稳定工作。通常选择TL431结合TLP521进行反馈。
4、光耦，即光电耦合器，结构：一般4脚的光耦，输入端跨接的是一只led，输出端跨接的是一只光敏三级管，led和光敏三级管是被密封在一个封装中的。
5、光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。
6、据分压原理可知，即使干扰电压的幅度较大，但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小，只能形成很微弱的电流，由于没有足够的能量而不能使二极体发光，从而被抑制掉了。
利用第3引脚可设定保护状态为锁定或自动复位 （此功能在功放过载保护和输出直流漂移保护两种状态下均起作用）。正压和负压的输出漂移通过相同的引脚检测 （第2引脚为输出漂移检测）。
C1237HA的工作电压是25V ，80mA .C1237HA(集成电路)具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。
功放开机延时启动防止输出中点电压过高烧毁扬声器防止输出端电流过大，保护功放未级电路元件。
工作原理：耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。
把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。
A。选用TLP250 光耦既保证了功率 驱动电路与P W M 脉宽调制电路的可靠 隔离，又具备了直接驱动MOSFET 的能 力，使驱动电路特别简单。
光耦电机驱动电路每个器件中都含有成对的发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管，光敏电阻），是以光为媒介来传输电信号的器件。
我简单讲一下吧，就不配图了，你自己找个3120的原理图看下就好。
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光耦输出端的最大工作电压：30V。光耦输出端的最大工作电流：50mA。光耦的最大工作温度：85℃。光耦的最小绝缘电阻：10^10Ω。光耦响应时间：小于等于4微秒。光耦的耐压能力：1500Vrms。
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。输入二极管正向电压：25V。最大集电极电流：50 mA。集电极和发射极的最大电压比：80V。4引脚DIP封装和SMT封装。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
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