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1、N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V，功耗：33W，工作温度范围：-55°C to +150°C，封装类型：TO-220F，功率， Pd：33W，封装类型：TO-220F，常用于开关电源中作开关管。
2、N60、K311K214K254K387K2647N60B、10N60。
3、N60C三极管、场效应管参数：5N60是5A600V耐压 。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。
②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。
短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。
1、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
2、一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
3、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
4、在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
5、可以启动发动机。常开键连接汽车发动机启动电机的控制回路，常闭键连接汽车主电源。当汽车发动机运转时，只需按下启动按钮，起动机就会电动运转。当按钮松开时，常闭触点连接到汽车的主电路。
6、如果我没有理解错误的话，中低压MOS是一种场效应管的电子元件。像这种专业性强的产品销售渠道需要做精准设定：与电子产品制造商建立直供关系；在电子元件批发市场设立专柜；开通线上网店。
答案：cc1215场效应管是一种N沟道MOS场效应管，其主要参数包括：漏源电压Vds、栅源电压Vgs、漏极电流Id、栅源电容Cgs、漏源电容Cds等。
IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
你好请问是问cs12n60f参数及代换是多少吗？cs12n60f参数及代换是：cs12n60参数：电流12A，电压600V。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
耐压(最大工作电压VDSS)，VDSS不是越大越好，一般=工作电压×2就够。最大工作电流(ID)，ID一般比实际工作电流大一些为好(2倍以上)。SD导通正向压降(VSD)越小越好，大了容易发热。
耗尽型场效应管 ：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID。
场效应管cs630参数是1200V、630A。查询场效应晶体管说明书得知，CS630场效应管是大功率单向可控硅，其基本参数是：1200V、630A。
STK630三极管最大电流9A，最大电流200V。可以用STK0825或IRF630三极管代替。
V，2A，65W，STk630。CS630场效应管是大功率单向可控硅，单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通。根据查询大家都在问得知，cs630参数为600V，2A，65W，可代换为STk630。
VGS(th)---控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)VGSM---控制栅最大电压 ID---漏极最大电流 tr---最大工作频率(或叫响应速度)RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行。
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