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1、电路设计的时候要考虑到CTR老化,时间,温度,离散型等的影响。
2、电流传输比 (CTR: MIN. 50% at IF=5mA ,VCE=5V)。高隔离电压:5000V有效值。紧凑型双列直插封装,PC817为单通道光耦,PC827为双通道光耦,PC837为三通道,PC847为四通道光耦。线性光耦元件。
3、光耦817B和光耦817c的主要区别表现在CTR值上。CTR是发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
当两个不同的型号的光耦只有负载电流不同时,可以用大的负载电流的光耦代替小负载电流的光耦。
还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。
一般的光耦参数:正向压降VF。正向电流IF。反向电流IR。反向击穿电压。结电容CJ。反向击穿电压。光耦的选择里,电流转换比是一个很重要的参数。它也称为CTR ,CTR定义为输出电流与 输入电流的比值。
1、采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
2、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
3、光耦输出端的最大工作电压:30V。光耦输出端的最大工作电流:50mA。光耦的最大工作温度:85℃。光耦的最小绝缘电阻:10^10Ω。光耦响应时间:小于等于4微秒。光耦的耐压能力:1500Vrms。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式,其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
moc3063光耦的工作电压和电流的参数如下: 电压-断态: 600V,电流-通态(It(RMS)):(最大值) 25A,电压-栅极触发(Vgt):(最大值)3V,电流-不重复浪涌(50,60Hz) 208A,250A。
入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
光耦 [guāng ǒu]光耦合器(opticalcoupler equipment,英文缩写为OCEP)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
光耦输入端的最大工作电压:5V。光耦输出端的最大工作电压:30V。光耦输出端的最大工作电流:50mA。光耦的最大工作温度:85℃。光耦的最小绝缘电阻:10^10Ω。光耦响应时间:小于等于4微秒。光耦的耐压能力:1500Vrms。
N/C或NC在电路中都表示Not Connected的意思,就是未连接或未定义的意思。
彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端,受光器的引脚为输出端,常见的发光源为发光二极管,受光器为光敏二极管、光敏三极管等等。
在后面可以看到,在合理的外围电路设计中,真正影响输出/输入比值的是二者的比值K3,线性光耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。HCNR200和HCNR201的内部结构完全相同,差别在于一些指标上。
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