可控硅开关器件（可控硅开关器件有哪些）

发布时间：2023-06-08

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1、可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

2、可控硅的导通是可以输出随着输入的改变而改变，也就是非线性特性的。通常我们靠改变可控硅的导通角来进行PWM控制（大电流方面）。而开关管则只有开和闭两种状态，是线行特性。

3、晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

4、控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢？使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。

5、双向可控硅：是在普通可控硅的基础上发展而成的，不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。单向可控硅：是一种可控整流电子元件。

6、接触器优点可靠性高，受浪涌电流影响小，通断特性好，绝无漏电流。缺点体积一般较大，触点在通断瞬间易产生火花造成接触不良或烧毁，开关速度比电子开关慢，驱动电流大，工作时有噪声。

1、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

2、IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

3、区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。

4、IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

5、IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。

可控硅开关器件（可控硅开关器件有哪些）

1、可控硅的词语解释是：可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。可控硅的词语解释是：可控硅(SiliconControlledRectifier)简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。词性是：名词。

2、可控硅，简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。

3、与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。

4、它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为V、VT表示（旧标准中用字母SCR表示）。