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1、晶闸管(可控硅)仍然导通。 智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。
2、可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
3、可控硅怎么才能关断？唯一办法就是切断电源。当电压降到0V时，就会自动关断了。用可控硅控制交流电时，就是利用交流电的电压过零自动切断的。这就是为什么不能用可控硅控制直流电的原因，不能自动关断。
4、可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
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又可用作热塑性塑料，还可用作塑料的冲击改性剂，使其在医用包装材料、汽车配件、电线电缆、日用制品、玩具等方面得到了广泛的应用。POE一般采用溶液聚合工艺生产，聚合温度约在80~150℃之间，压力为0~9MPa。
具体说来这种模式在刺激总需求的同时又能抑制通货膨胀，松的财政政策通过减税、增加支出，有助于克服总需求不足和经济萧条，而紧的货币政策会减少货币供给量，进而抑制由于松的财政政策引起的通货膨胀的压力。
它一般由嵌入式微处理器、外围硬件设备、嵌入式操作系统以及用 户的应用程序等四个部分组成，用于实现对其他设备的控制、监视或管理等功能。包括硬件和软件两部分。
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1、可控硅中的PN结——是相临半导体间的空穴与电子扩散而形成各接触层间的电势垒。阻止了电子与空穴的继续扩散和漂移，达到一个平衡状态。
2、一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
3、可控硅怎么才能关断？唯一办法就是切断电源。当电压降到0V时，就会自动关断了。用可控硅控制交流电时，就是利用交流电的电压过零自动切断的。这就是为什么不能用可控硅控制直流电的原因，不能自动关断。
普通可控硅（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。
只有当漂流载流体回零后，或者AK间的外加电压反向时才能破坏载流体的流动，使之回零。结论：可控硅的关断是使AK上的电压反向或电路中的电流过零，才能使可控硅关断。
可控硅怎么才能关断？唯一办法就是切断电源。当电压降到0V时，就会自动关断了。用可控硅控制交流电时，就是利用交流电的电压过零自动切断的。这就是为什么不能用可控硅控制直流电的原因，不能自动关断。
因此在直流电路中只要其电流不小于维持电流，可控硅是不会关断的。在交流电路中的由于交流电流的大小和方向都会在变化，因此在去掉控制电压时导通的半波过后可控硅就自动关断了。在交流电流中使用的是双向可控硅。
你说的无法关断，假设你加在A K间的是直流，那就无法关断是正常的。通常可控硅用在交流回路，在交流波形的任意时刻加一（比交流正半周时间短的）触发脉冲，可控硅导通，交流电压过零时可控硅关断。
等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。寄存器双向晶闸管导通条件：一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
可控硅导通有两个条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅怎么才能关断？唯一办法就是切断电源。当电压降到0V时，就会自动关断了。用可控硅控制交流电时，就是利用交流电的电压过零自动切断的。这就是为什么不能用可控硅控制直流电的原因，不能自动关断。
是比较常用的半导体器件之一。可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
实际电路中，关断可控硅都不是简单的降低或减小控制级和阴极电压实现的，为工作可靠，会给加上负的偏压，以确保关断。同理，二极管，三极管，关断是都加上了反向电压。为的是抗干扰。电路可靠工作。
因此在直流电路中只要其电流不小于维持电流，可控硅是不会关断的。在交流电路中的由于交流电流的大小和方向都会在变化，因此在去掉控制电压时导通的半波过后可控硅就自动关断了。在交流电流中使用的是双向可控硅。
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
(1)按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)，BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
阳极（A）、阴极（C）和控制极（G）。可控硅有三个极分别是阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。
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