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1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
2、当然，用输入电压最低、输出功率最大时的初级峰值电流，再留一些余量。
3、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
4、 选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。
5、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
当然，用输入电压最低、输出功率最大时的初级峰值电流，再留一些余量。
漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
变压器初级线圈的电感量确定，工作频率确定。这样利用电感公式2πfl就可以了得到线圈在设计频率条件下的阻抗，有了阻抗也就决定了最大电流值。从而得到峰值电流。
没有上下文不好解析，开关电流说不好，MOS管的峰值电流应该是管子的参数，就是能承受的最大电流，最大漏极电流和变压器一次测峰值电流是同一个东西，就是在电路工作的时候初级线圈的最大电流。
应该是正确的，但条件是在副边电流断续模式，即初级电流从零增大到Ip。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。
用电子负载直接调负载，什么时候出现跳变，即带不起载的时候的输出电流即为最大电流。（但是，有时候电源可能没有OCP保护，而是OLP，过功率保护，这个时候，输出的电流可能会很大，相应的输出电压会很低。）希望对你有用。
1、就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。
2、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
3、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
4、. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高， 选择工作电流 选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。
关键词：mos管
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