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1、N沟道增强型MOS开关的截止条件是G、S极间的电压Ugs大于或等于Ugs(th)（也用UT表示 ）、D、S极间的电压Uds大于0。
2、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。
3、即：NMOS的g端为高电平时，d端与s端导通，为低电平时d端与s端断开；PMOS相反。PS：MOS管比较重要的参考有Vds，即d与s端允许的最大电压值；Ron，导通时的电阻；Ton，Toff，开关状态转变的时间。
4、因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC＝0。饱和区：Ib足够大；C极不能开路，并有负载（电阻）；在电路中测ce两端电压接近零伏小于eb电压是饱和状态；ce 电压高于eb 电压，一般在二分之一左右的电源电压是放大状态。
N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET， 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。
MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
1、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。
2、MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。
3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
1、简单的说，mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通，就像开关一样（g为按键，d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。
2、Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
3、是NMOS高电平导通，PMOS低电平导通。图中所示，从TP1和TP2来看，L=A非·B非=(A+B)非；从TN1和TN2来看，L=(A+B)非。
4、·当输入低电平(Vi=Vss)时，PMOS管导通，NMOS管截止，输出高电平，如图1(b)所示。 ·当输入高电平（Vi=VDD）时，PMOS管截止，NMOS管导通，输出为低电平，如图1(c)所示。
1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
2、增强型PMOS管的导通条件是Ugs≦UTP≦0。那么这个PMOS放大器为什么可以用正电压VDD呢？原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。
3、对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。
4、PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
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