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mos管dfn封装（mos管封装形式）

发布时间：2023-05-14
阅读量：283

本文目录一览：

60V的MOS管有哪些规格参数 哪些封装？

60V的现在神拍盯是芯片技术是SGT工艺：60V9A，11A，14A，17A，60V21A，22A，33A，35A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，游和132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，贺培380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。

DFN5x6封装MOS管 海飞乐技术的芯片来自哪里?

DFN5x6封装MOS管的规格：40V100A，45V100A，60V100A，100V34A，大孙100V48A，40V85A，40V30A，60V85A，40V32A，60V80A，60V53A，150V52A，60V40A，60V28A，60V30A，60V24A，60V44A，75V85A，80V85A，100V46A，80V78A，80A48A，100V85A，100V52A，-30V-30A的P沟道MOS，-30V-34A，猜物-20V-85A，-30V-32A，30V83A，30V150A，30V22A，30V24A，30V30A，30V32A，30V34A，30V35A，30V36A，30V41A，30V43A，30V47A，30V50A，30V52A，30V55A，30V56A，30V60A，30V65A，30V68A的MOSFET，30V70A，30V72A，30V85A，30V75A，30V170A，滚兆链30V200A，60V81A，80V65A，100V52A，100V26A，150V31A，250V14A，100V28A，100V12A，100V10A，25V200A，40V100A，-30V-24A，-30V-36A，60V85A，60V100A，60V44A，120V85A，40V85A，40V30A，100V100A，海飞乐MOS，台湾工研院技术支持。

MOS管封装与参数有着怎样的关系，如何选择合适封装的MOS管

一、MOS管封装

不同的封装尺耐拦寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。

常见的MOS管封装有：

①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92;②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。

1、TO-3P/247

TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。

TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的，里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的，所以功能及性能基本一样，最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用昌搏胡在大功率的POWER中,用作开关管的话，它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。

2、TO-220/220F

这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

3、TO-251

该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。

4、TO-92

该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。

5、TO-263

是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中银轿压大电流MOS管中较为多见。

6、TO-252

是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。

STD2NK100Z 的参数

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1 kV

Id-连续漏极电流: 1.85 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 16 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.4 mm

长度: 6.6 mm

系列: STD2NK100Z

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

宽度: 6.2 mm

商标: STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值: 2.4 S

下降时间: 32.5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 6.5 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 41.5 ns

典型接通延迟时间: 7.2 ns

单位重量: 4 g

请问这个mos管是什么品牌的

这个是台湾大中集成电路出的MOS管。公司商标：sinopower。你这个件是N沟道增强型MOS场效应管。型号全称是SM4337NSKP。DFN5X6A-8_EP封装。丝印第二行为单号。30V/55A。

关键词：mos管 mos管是什么

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