包含三极管集成电路的词条

发布时间：2023-05-11

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本文目录一览：

1、三极管 Ic
2、怎样区分二极管三极管IC和集成电路？
3、请问晶体管、二极管、三极管等可以统称为集成电路吗？
4、三极管是怎样在集成电路上工作
5、三极管属于集成电路吗，为什么

三极管 Ic

Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。

Ic（的变化）是多大，是要看从基极流到发射极的电流Ib来决定的，一点点小的Ib变化，就能导致很大的Ic变化，这就是所谓的三极管的放大作用。只有这样三极管才有使用价值：用作放大器、振荡器、发射极跟随器等等。

双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在孝纤反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电游慎备路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和神毁 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSVT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。

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怎样区分二极管三极管IC和集成电路？

大容量电容是用来滤除电路中的交流电波，小的一般是可以用来偶合信号。电阻用来阻碍通过的电流。电感也是用来滤波的，但它所滤的交流电波和电容滤的频率范围不同。二极管的作用是把交流电整流成直流电。三极管的最大作用就是把微弱的电信号放大，有时也被设计成开关。集成电路就是把上述的元件通过谨敬猛现代技术设计整合在硅晶体上，大多数集成电路的功稿源能都是固定的，祥桥在制造之前就已经设计好了，作用根据它们的型号决定

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请问晶体管、二极管、三极管等可以统称为集成电路吗？

晶体管（即三极管）、二极管等都是分键谨信立器件。如果把若干个晶体管、二极管和电阻等组成的电路，用某种工艺（例如半导体工艺）制作在一个芯片上，封装後从稿轮外观上看，就是一个器件，它对外只有对外连接的输入、输出、电源正和地线，没有内部连接线。这个把单晌雀元电路集成在一起的器件，是集成电路。

三极管是怎样在集成电路上工作

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化正野也会有一定的改变。晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集或斗电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用衫清磨，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。