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1、简单的说,mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通,就像开关一样(g为按键,d与s分别为两边连线)。N、P型的区别,就是一个为正电压启动(NMOS),一个为负电压启动(PMOS)。
2、看电路图的箭头是指向哪里,箭头方向相反的电流就是导通,方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入,漏极D导通输出,N沟道相反。导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。场效应管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。
3、光耦不通时,mos管G端电压等于高电位,截止。当光偶导通时,mosG端电压降低,mos管导通。DOUT3和地之间应该有负载,比如继电器什么的。
4、只要GS间电压够大,就可以导通了,截止的话就是倒过来,GS间电压够小就截止。
5、MOS管作为开关元件,同样可以工作在截止和导通状态,由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅极和源极间的电压来决定导通与否。Vgs用来控制沟道的导电性’从而控制漏极电流ID。
6、OR逻辑来连接多个电源的输出。在ORingFET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时。
1、MOS管截止时,电流会从体二极管流过,但是这个电流的值已经非常小了,可以忽略不计。体二极管,又叫寄生二极管,它是由生产工艺造成的,大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。
2、场效应管在夹断后,还有饱和电流的原因是:当漏一源之间接上+ VDS时,从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度:源区为零电位,漏区为+ VIB,而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。
3、不会,这个二极管工作在反向状态,反向电流极为微弱,可以忽略不计。另外,这个二极管实际上是等效出来的,而真正的做一个二极管在上面,主要起保护,防止反向击穿的。
4、压降又会变回0.7,最终状态仍然是0.7v.输出低电平,此时D1马上截止;在Va=Vb=3v, D1,D2都会正偏被限定在7。二极管反向偏置就是截止,截止时会有极其微弱的反向电流存在,大小与反向电压和PN结温度有关。
1、错误。二极管的正向电压需要大于等于其最低导通电压才会导通。这个电压一般是零点几伏到一点几伏。
2、模拟电路书里讲得就是小功率 MOS 管的结构,所以没 有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接 S 极,因此自然在 DS 之间有二极管。
3、二极管不是线性的元件,如果加的正向电压低于“死区电压”则不导通,当超过这个电压时,它就导通,相当于开关的闭合,但有个压降;这个压降的数值硅管为0.6~0.7,锗管为0.2~0.3V也就是死区的电压值。
4、二极管都有最低导通电压,当电压低于这个电压也是无法导通的,同样,二极管反向也存在最高耐电,当反向电压大于这个值就击穿导通了。
5、你G开路了?G对地短路、开关断开,G开路(正确应接高电平),开关闭合。
6、不会,这个二极管工作在反向状态,反向电流极为微弱,可以忽略不计。另外,这个二极管实际上是等效出来的,而真正的做一个二极管在上面,主要起保护,防止反向击穿的。
N--D之间电压应符合耐压极限参数,超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。
因此在mos管耐压足够的情况下,主要就是散热问题,由于电压高导致温度高,是易坏的。
MOS管的栅极和漏极可以是相同电压,如果它们的电势相同,就会处于截止状态,不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时,电子会开始在通道中流动,从而使漏极电压低于栅极电压,使得MOS管导通。
当A点为低电平时,B点能得到5V电压;而当A点为高电平时,漏极并没有完全关断,B点还有8V。如果不连外部模块,B点是可以得到0V的。
不是没关断,没关断的话电压就不至2V了。电子开关和继电器之类的开关不一样,不能物理切断,管子关断的时候都有漏电流,加在100K电阻上肯定会有压降的,带实际负载或着把电阻换小就没问题了。
单单栅极高电平也不行,还要看源极的电压多大,如果源极电压比栅极电压还大,他俩的差值超过了开启电压,那同样不会截止。
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