mos管电容特性（mos管的结电容偏大有什么影响）

发布时间：2023-05-14

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本文目录一览：

1、MOS管是什么？
2、为何高压时mos管的栅源电容比低压时
3、MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件
4、d4148mos管参数

MOS管是什么？

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只庆扰能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管咐差世通俗讲就是小电流放大成衡肢受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

拓展资料：

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

为何高压时mos管的栅源电容比低压时

高压时mos管的栅源电容比低压时是受栅漏和栅源电容的影响。栅源电容比低压受到的影响，感应罩空到的dv/dt会导致功率管物者瞎开启，MOS管电容特性：简嫌此单的说，Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs和Cgd形成了电容分压器。

MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件

MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。

电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

电流流向：由漏极d流向源极s。

沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅敏茄孙极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区纳谈的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生桥链漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。

MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。

P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

mos管电容特性（mos管的结电容偏大有什么影响）