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1、.根据TTL门电路的输入特性,当外部电阻较大时。输入电压高。这允许您挂起相当于外部高层的额外输入。
2、TTL输入端如果不用,也不要悬空,不接电阻为高电平,但因为是高阻,很容易被干扰成低电平,一般是通过电阻到地,使之成为低电平或加上拉电阻到电源成为可靠的高电平。
3、MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
4、当G级没有信号输入时,G级残压电荷,或是静电累积的电荷,就会在gs直接形成电场,差生电势差,而gs之间的门槛电压是很低的,容易导通,继而ds也导通。本来信号撤离,需要ds关断,现在是导通,工作紊乱容易损坏mos管。
5、不大理解,要是三端都为19V也有可能的,但是这个MOS为关断的DS不导通,电压为其他地方加在上面的。需要查查电路才知道详细的情况。
1、du光电二极管环极不接是不可以用的。因为如果环极不接,整个电路是不通的,而且也没有电流通过,所以不可用。
2、从上图来看,第一级是跨阻放大器(可以理解为I/V转换器),将光电二极管产生的电流转换为电压输出到第一放大器AD795JR的输出端6脚,连接正常。
3、使能接收到环境光强弱变化的二极管,当然,为了得到更高的灵敏度,pn结的面积也需要更大,而其散热要求会大大低于需要通过大电流的整流二极管。
4、光电二极管是在反向电压作用在工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到几十微安,称为光电流。光的强度约大,反向电流也约大。
5、,运放开环工作。你的AD620AN实际是工作在比较器状态,放大倍数几乎是无穷大。因为输出端到负输入端之间没有负反馈电阻,而且负输入端直接接地;2,取样电阻阻值过大。51K已经属于高阻抗,造成运放输入端对外来EMI非常敏感。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
是电机驱动,用的就是MOS的开关特性。另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变。后面一个推挽电路,然后给MOS。
场效应管的导通条件为VGS的电压,而非G极电压,如果用P沟道的MOS,S级需要接比G极高的电压。
一般2V~4V就可以了。P沟道mos管作为开关,栅源的阀值为-0.4V,当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通,如果S为8V,G为8V,那么GS=-1V,mos管导通,D为8V。
能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
1、Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭。对于PMOS来说,和PNP类似。需要把12V当零,GND当做-12V。这时,0V截止,负电压导通。接的+5V相当于-7V,当然要导通了。
2、MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿。
3、MOS管栅极悬空:Vg输入高时,N管会导通,使得P管的栅极为低,P管的DS导通。Vg为高阻态时,Vout输入不定,检查发现P管的栅极电压变化不定。R2虚焊,从而导致了N管的栅极悬空,R2焊好,问题解决。MOS管的栅极不能悬空。
4、并不是阻抗大容易受到干扰,外界干扰会让G极感应出电势,阻抗越大,电压会升越高,所以G极就容易被击穿。如果有一个低阻抗通道,电势就通过低阻通道流过,而不用升高电压乃至击穿器件甚至空气形成回路。
5、当A(就是G极)悬空时,由于场效应管栅极极高的输入阻抗,会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时,GS之间要加一个电阻,防止栅极悬空引起错误动作。
关键词:电阻 mos管 输入电阻 极间电容 拉电阻 增强型mos管 上拉电阻 电容 光电二极管 反馈电阻 负反馈电阻 整流二极管
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