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1、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
2、MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate，源极Source，漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。
3、可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
4、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
5、可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
6、目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。
1、正负输出的恒流源电路完全可以实现。见图，电流大小可调整RRW1。
2、恒流源电路就是要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT或者MOSFET来实现。
3、这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT 或者MOSFET来实现。
4、差分电路恒流源电流选择恒流源电流，恒流源电流的大小是一个相对值，根据实际电路来决定，是一个折中值。
5、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。
1、场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
2、从结构上看，PNP型三极管的集电区和发射区是P型半导体，中间的基区是N型半导体，而NPN管的集电区和发射区是N型半导体，中间的基区是P型半导体。
3、不过一般说来，你看到的场效应管，90%以上都是N沟道增强型MOSFET，P沟道种类要远远比N沟道少得多，而且价格要贵一些。
4、S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。
1、首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。
2、MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
3、一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。
把图中结型场效应管、三极管、R2都扔掉，换一个V-MOS场效应管，比如说IRF640、IRFZ44N等，只要最大电流满足需要即可。连运放都不需要负电源供应，直接用单电源，电压不要低于9V，最好12V以上，比如直接用24V供电。
运放制作恒流源的原理是运放的加减法运算电路。电路中需要一个确定输出电流大小的基准电源和采样电阻，在采样电阻两端的电位进行比较运算并控制采样输出保证采样电阻上电压保持恒定，从而保证输出电流的恒定。
如图，其中分压电阻和稳压管为场效应管的栅极提供一个固定的基准电压。
1、. 选择MOSFET的耐压 MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。比如是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。如果是感性负载，或者是开关频率比较高， 选择工作电流 选择工作电流，许多工程师都在这里踩过大坑。
2、mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。
3、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定，并根据经验留出足够的电压余量。理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。
关键词：电路mos管 IC芯片 电阻 高压mos管 可变电阻 mos管 恒流源mos管选型 buck电路mos管 导通电阻
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