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1、欧,一般光耦不导通时电阻应该是有230欧左右,根据不同工作需求这个电阻变化也是有所不同的。驱动电流一般在2~20mA对普通光耦来说,一般不提输入电阻。
2、:炸管跟R4没关系。R3按输出电压Vo=5V时,流经R3的电流为D2的最小稳定电流来计算取值。R1按需要的光耦反馈原端电流IF计算取值,这个值最好通过试验获得。2:没有R5,是R4吧。
3、V以下时,光耦会输出高电平。加上100k电阻后,需100K电阻上电压达到7V以上,内部二极管工作光耦输出低电平,而100K此时与130K串联,需100K上分压达到7V,则总触 发点提高至3V左右。反向波形分析同上。
在光耦的输入端,有寄生电容存在,这个电容上的存储电荷影响翻转速度。并联电阻后,可以及时泄放掉电容上的存储电荷。解决快速翻转时可能出现的误动作。
光耦二极管部分的电阻是起限流的,它限制发射二极管的最大电流。接收三极管部分的集电极电阻和单管放大电路的集电极电阻作用相同,是个负载电阻。
,驱动电流一般在2~20mA 2,对普通光耦来说,一般不提输入电阻。
并联在光耦发光二极管端的电阻是一个电流泻放电阻,主要是给弱电流信号一个通路,避免流过光耦的发光二极管导致误导通 还有一个作用是限制发光二极管两端的电压不至过高,起保护作用。
并联的电阻用于扩展过零脉冲宽度,也就是延后内部反向并联发光二极管的导通时间。比如光耦内部二极管的Vf=7V,以交流电正半部波形为例,在AC过零后的7V以下时,光耦会输出高电平。
1、如果阻抗很高,这个上拉电阻的取值范围就很宽,保证光耦的光敏三极管工作电流超过1mA即可。如果它比较低,这个上拉电阻的取值就应该接近输入阻抗的数值,以保证输入端得到匹配。光敏三极管一般会工作在饱和导通和截止两种状态。
2、算吧,光电耦合器端电压3V,10mA,那么电阻上压降217V,电流10mA.217/0.01A=21700欧=27K,电容是滤波电容,可用400V100微法即可,建议你用这个阻容降压电路。
3、接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理,可以得到以下公式:IB=IF*CTR,其中CTR是光耦的传输比,表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此,可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。
关键词:上拉电阻 并联的电阻 滤波电容 二极管的 二极管的导通 接收三极管 拉电阻 输入电阻 电极电阻 普通光耦 发射二极管 负载电阻 加电阻 光耦 光敏三极管 并联电阻 电容 1电阻 二极管两端的电压 发光二极管
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