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不是,金属膜电阻是薄膜电阻竖悄中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将镍铬或类似的合金紧密附在瓷棒表面形成皮膜,经过切割调试阻值,以迹侍达到最终要求的精密阻值,然后加适当接头切割,并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成。
薄膜电阻器是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于余州渣绝缘材料表面制成。常见的有:碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化膜电阻、合成膜电阻。
1、根据膜厚
厚膜电阻的膜厚一般10μm,薄膜的膜厚<10μm,大多<1μm;
2、根据制造工艺
厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺,薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。
3、根据启厅精度
厚膜电阻一般精密程度不高,多数是1%、5%、10%等,而薄膜电阻则可以做到0.01%精度,0.1%精度等唯春;
4、根据温度系数
厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,但是薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如5PPM/℃,10PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定悄山隐可靠,因此价格相对厚膜电阻来说会比较贵一些。因此:当温度系数和精度要求高时,就使用薄膜工艺的电阻,如果是一般要求使用厚膜工艺的电阻即可。
薄膜片式电阻器的优点和Susumu的优点
由于薄膜 贴片电阻 是溅射法形成的均匀薄膜,电子电流稳定,精度高,温度晌码让系数低,电流漂移小,适用于高精度应用。
整体结构的电阻膜使电子能够顺利流动
为了进一步提高苏苏木的耐湿性,采用电极和薄膜技术作为原结构。
苏苏木RG系列以其优异的长期稳定性被广泛应用于汽车领域。
↗保护膜的双重构造
・无机保护膜
改进的防潮电极
薄膜贴片电阻的基本特性及其与厚模慎膜贴片电阻的区别
膜片电阻与一般厚膜贴片电阻相比,它具有电阻误差小、温度系数小、电流噪声小的特点。
项目
一般厚膜贴片电阻
Susumu薄膜贴片电阻
电阻精度
+/- 0.5%, 1%
(精密级)
+/-0.01%,0.05%,0.1%,0.5%
(超精密级)
电阻温度系数
±25ppm,±50ppm,100ppm
(高TCR)
+/-1ppm, 5ppm, 10ppm, 25ppm
(低TCR)
电流杂音
约+10dBv以下
(杂音大)
约-20dBv以下
(杂音小)
电阻精度和电阻温度系数(TCR)
电阻精度表示室温下的电阻误差。电阻温度系数表示为特定温度范围内每1 C电阻值的变化,表示为ppm。下表显示了TCR的电阻变化(+10 ppm,+25 ppm)。
电阻温度系数也因规格不同而不同。此外,电阻值有时不会仅在一个相对于温度的方向上发生变化。
↗<电阻宴局精度>
单位(%);表示为±0.1(%)
每个精度由以下符号定义:
±0.01%:(L)±0.02%:(P)
(W)+ 0.1%:(b)
± 0.5% : (D)
电阻温度系数
单位:ppm/℃;如图所示为±10,25(ppm/℃)
每个温度系数由以下符号表示:
±1ppm :( K)±2ppm:(L)
+5 ppm:(V)+10 ppm:(N)
±25ppm:(P)±50ppm:(Q)
薄膜贴片电阻的主要特性
额定功率
在额定环境温度下,可连续加载的最大功率随电阻器的大小而变化。
另外,在具有长边电极和具有优良散热性的宽宽电极的产品中,为了增加相同尺寸的额定功率,可以使产品小型化或者可以减少部件数量。
额定电压
在额定环境温度下连续施加的直流或交流电压(rms)的最大值可通过以下公式计算:
e:额定电压(v),r:额定电阻(ω),p:额定功率(w)
但当该值超过元件的最大电压时,最大电压就是额定电压。
元器件最高电压
连续施加在电阻器上的直流电压或交流电压(Rms)的最大值
工作温度范围
在设计中,可以连续使用电阻器的环境温度范围。它由温度范围的上限和温度范围的下限指定。
温度范围上限 :
电阻可以连续使用的最低环境温度。
温度范围下限 :
电阻可以连续使用的最高环境温度。
根据负荷缓解曲线,当功率开始沿直线下降到0时,元件的最高温度。
负荷减轻曲线
该曲线表示环境温度在温度范围的上限和下限之间的最大允许功率。不同的产品线有不同的曲线。
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采用薄膜技术制备的电阻。用诸如真空蒸发、磁控溅射等工艺方法,将具有一定电阻率的材料沉积在键判绝缘基稿冲改体上,形成具有一定厚度判拦的导电膜层,如碳膜、金属膜(NiCr、TaN2、SiCr等)、金属氧化膜等。
膜式电阻,最为关键的工艺,是电阻膜层制备。
平常所说的薄膜电阻,指的是片式薄膜电阻器(Thin Film Resistor)。
电阻膜层厚度<1μm的膜称为薄膜;厚度>10μm的膜称为厚膜。
金属陶瓷电阻薄膜是指由金属和氧化物绝缘体混合所构成的薄膜。
基本介绍 中文名 :金属陶瓷电阻薄膜 外文名 :metallic ceramic resistance film 学科 :材料技术 领域 :工程技术 简介,特点,材料,制备,性能, 简介 金属陶瓷电阻薄膜是指由金属和氧化物绝缘体混合所构成的薄膜。 特点 其主要特点是电阻率高、耐高温升慧。 材料 主要的材料有: (1)Cr-SiO薄膜,是一种高阻薄膜,其方阻为500 ~3kΩ/口,电阻温度系数小于100ppm/ C'。可用蒸发或溅射法制备。蒸发所用原料为高纯(99. 99%)铬粉和SiO粉混合物。反应溅射法所用原料为高纯铬、矽复合靶,反应气体为高纯氧;或用高纯铬靶、SiO靶进行双靶溅射; (2)Ti-SiO2薄膜,也是一种电阻温度系数较小、稳定性高的高阻罩戚薄膜。 制备 薄膜采用射频溅射制备,靶由高纯钛板和SiO2片构成。通过改变钛和SiO2的面积比,可得到成分不同的Ti-SiO2膜,膜厚为250~300nm。 性物笑陵能 Ti-SiO2薄膜的性能受靶成分、溅射工艺等因素的影响。金属陶瓷电阻薄膜用于高、中阻薄膜电阻器。
连续结构的电阻薄膜,通常是各层成分不完全相同的多层复合薄膜。这是由于在制膜过程中及以后的热处理中,周围气氛中相关气体浓度饥燃的变化、基片-薄膜界面处的物理扩散和化学辩仿反应、薄膜表面层中的扩散和反应,还有特意安排的制造多层复合薄膜的工艺。
常见层状复合电阻薄膜多为三层结构:
底层(界面层):使薄膜与基片匹配,强化薄膜附着力
中层:电阻薄膜主体层
上层(表面层):防潮、耐热等保护层
注:电阻薄膜的各层之间通常没有突变的界面,而是渐变的界面。在制膜过程及其后续热处理中,通过工艺控制形成,而不携肢纤是各层单独制造。
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