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1、你的问题需要自己计算,只能提供你尺寸,自己根据尺寸去换算体积,还从来没有人看元器件体积的。
2、从VI特性可以看出,肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似,但仍存在以下区别。肖特基势垒二极管的正向压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正向压降呈现出0.3伏至0.5伏的正向压降。
3、压降降低,在管子上的耗损就减小了,发热也相应会减小,你说这是好是坏?用mos整流就是为了极低Rds带来的低耗损低发热,可以提升系统转换效率。
正向压降数值不同:直接用数字万用表测(小电流)普通二极管在0.5V以上,肖特基二极管在0.3V以下,大电流时普通二极管在0.8V左右,肖特基二极管在0.5V以下;SR350 就是表示3A50V。
所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下:肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短,所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低,一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低,因此功耗低。
肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。
肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右,正常导通压降是0.5V左右,在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
二极管正向导通电压锗管约0.2~0.3伏,硅管约0.6~0.7伏,肖特基二极管的正向压降在0.5-0.7V。不同的管子会有差异。
贴片二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。
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