功率mos管驱动（mos管驱动频率）

发布时间：2023-05-14

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本文目录一览：

1、菜鸟问题：功率MOS管驱动怎么继电器，比如说电压12V，电流200mA，这边看重MOS管的哪些参数？谢谢
2、怎么提高大功率MOS管的驱动能力？
3、tl494驱动mos管的问题
4、功率场效应管的驱动问题
5、怎么提高大功率MOS管驱动电路的驱动能力
6、如何选择最适合的MOS管驱动电路？

菜鸟问题：功率MOS管驱动怎么继电器，比如说电压12V，电流200mA，这边看重MOS管的哪些参数？谢谢

你好！！继御简饥电器的选配关键看电压是否一致，然后就是最大咐缓工作电流了，不可以超过继电镇返器的额定最大值！！

一般的话，达林顿管可以驱动MOS管的！

怎么提高大功率MOS管的驱动能力？

选择专用的MOS管驱动器试试，主要从提高驱动电流，反应速度、驱动信号的上升速度及下降速度等考虑。

功率mos管驱动（mos管驱动频率）

tl494驱动mos管的问题

TL494是一款常用的PWM调制器，在控制电机、LED等应用中广泛应用。在使用TL494来驱动MOS管时，需要注意以下几个问题：

输入电压范围：TL494的输入电压范围一般为7V至40V，需要确保输入电压在规定范围内，否则可能会损坏芯片。

输出电流：TL494的输出电流较小，一般在200mA左右，无法直接驱动一些高功率MOS管。因此，需要添加MOS管驱动器或放大器来增加输出电流。

MOS管的选择：在使用TL494驱动MOS管时，需要选择合适的MOS管。要考虑MOS管的最大电流、最大电压、导通电阻等参数，以确保MOS管的工作在安全的范围内，同时也要保证MOS管能够满足应用的需求。

反馈电路：在一些应用中，需要添镇伍加反馈电路来控制输出电压或电流。可以通过添加电压或电流传感器、比较器等来实现反馈控制。

滤波器：在PWM输出的过程中，会产生一些高差闭频噪声，需要添加滤波电路来减少御庆或噪声的干扰。

总之，使用TL494来驱动MOS管需要注意多个方面的问题，需要根据具体的应用需求进行选择和配置。

功率场效应管的驱动问题

将前极驱动笼统的看作“驱动源”，由于功率MOSFET的输入属于电压驱动，必然会存在器件输入电容，尤其在大功率，高频率时这种输入电容非常明显。

为提高开关速率并降低开关损耗，可以通过改变栅极串联电阻控制开通过程中的峰值电流闹租，就是串联这一电阻的意义，在运行频率较低时，开关损耗所占比例较小，驱动电压的上升、下降速率可以减慢些，反之相反。

至于计算，就不用说了，根据功率，器件，频率来计算的。这其中经验值非常重要。不凳弯档知这样说明白没有枣乱，呵。

怎么提高大功率MOS管驱动电路的驱动能力

在原MOS管上并联相同的管子，如果前级驱动能力不足，同样可以加强。

如何选择最适合的MOS管驱动电路？

1、MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存指饥神在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小唯亏的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时肢薯候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

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