gan器件的开关特性（常见的开关器件）

发布时间：2023-06-11

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氮化镓充电器在与传统充电器提供同等功率的情况下能够做到体积更小，而在体积大小一致的情况下能够提供比传统充电器更大的功率。正是基于这些优势，氮化镓充电器才会日渐火热，受到越来越多消费者的青睐。

氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

氮化镓在关键领域比硅显示出显著的优势，这使得电源制造商能够显著提高效率。当电流流过晶体管时，开关损耗发生在开关状态的转换过程中。

材料不同传统的普通充电器，它的基础材料是硅，氮化镓（GaN）被称为第三代半导体材料。相比硅，氮化镓的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。

氮化镓相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。

更大的充电功率就意味着充电器的尺寸也在变大，并且发热严重。改用氮化镓技术后，充电器的元器件可以更小，充电器体积大幅缩小；同时氮化镓充电器也能保持高效和低温的工作状态，安全性更好。

相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。

氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。

氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

氮化镓作为一种全新的半导体材料，它具有热导率高、耐高温、高硬度、高兼容性等一系列的特性。氮化镓充电器的最大优点就是支持体积更小的变压器以及其他电感元件，与此同时，还具有优秀的散热性能。

它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面。主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。

小米65W氮化镓充电器小米65W氮化镓充电器之所以能够实现功率密度的突破，主要得益于内置了纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片NV6115和NV6117，搭配安森美NCP51530和TI UCC28780实现高频开关，从而让变压器的体积大幅缩减。

gan器件的开关特性（常见的开关器件）

东莞市瑞亨电子科技有限公司近日成功量产了一款65W氮化镓快充充电器，除了1A1C双口以及折叠插脚等常规的配置外，这也是业界首款基于国产氮化镓控制芯片、国产氮化镓功率器件、以及国产快充协议芯片开发并正式量产的产品。

同时结合超低热阻的DFN封装进行巧妙设计，体积与市面上65W 氮化镓快充大小相当，全面实现小型化。

芯仙半导体120W氮化镓快充方案已经处于量产调试的最后阶段，上市之后将能够一次性满足消费者对多口快充、大功率快充、小体积快充等多方面的需求。

芯片设计努比亚氘锋氮化镓充电器内置全新的Gan+neocharger芯片，采用第三代半导体材料，具有高导热率、高通电性、低能量损耗的优点，而且在手机快充满时可以自动切换为涓流模式，进一步保护电池健康。

面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽科技、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠科技等16家氮化镓功率芯片供应商。

时隔10个多月，米11的定价完全照搬了米10，不仅在手机配置上全面升级，而且事实上赠送了氮化镓快充头，要知道氮化镓充电头的成本要远高于普通快充头，核心控制芯片，刚刚实现国产化。