bjt三极管的简单介绍

发布时间：2023-06-11

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解：BJT 要实现放大作用，首先满足其内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄；集电结的结面要大。

三极管饱和导通的条件是：集电结正偏或集电结零偏（Ubc≥0V）；不满足上述三条的管子截止。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

具有这种结构特性的器件称为三极管。三极管通常也称双极型晶体管（bjt），简称晶体管或三极管。三极管在电路中常用字母t来表示。

双极型晶体管又称三极管，通常简称为晶体管。两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管（BJT）。BJT是英文Biopolar Junction Transistor的缩写。在大多数电子设备中都可以见到他的身影。

为了保证常规的Si双极型晶体管（BJT）具有放大作用，它的发射区必须高掺杂（1019～1020/cm3，高于基区两个数量级或者更多）；集电区（外延层）掺杂浓度一般较低，需要考虑耐压，一般为1015～1016/cm3。

bjt三极管的简单介绍

两者之间没有区别。相关介绍具体如下：两者的原理相同：BJT（即双极结型晶体管）的原理：双极结型晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。

电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT这两个名称是等效的，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。

igbt属于三极管，也是绝缘栅双极型晶体管。是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

广义的讲，IGBT也可以说是三极管，是一种特殊的三极管。IGBT的基本结构：绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。

“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与运动。

1、三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

2、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

3、三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

4、晶体三极管是由两块N或p型二极管、中间夹着一层P或N型二极管构成，分为集电极、基极、发射极。集电极负责补充能量，基极负责触发控制，发射极负责输出。