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1、PC817的速度很低的,上升、下降沿时间最大可以达到18uS,不适合PWM信号,可以选择高速光耦,像6N136可以到达1MHZ,6N137可以达到10Mbit/s。
2、光耦起电气隔离作用,防止变压器2端共地了。另外就是一个开关作用。内部二极管发光,次端就导通。
3、出现这个问题,应该是你的光耦器件的频率打不到你的要求,你查查那个光耦的数据手册,看看正常工作时候最高能到多大频率。一般光耦的频率不会很高,用来做PWM隔离或者通信用的光耦,叫高速光耦,价格都不一样的。
4、数据手册给出的是范围值,对应每只光耦的输出电流会不一样,如果知道确切值可以求出,还有个问题要注意,817传输比不是线性的,不同的输入电流其传输比不一样。如输入2ma时的传输比200%,输出即为4ma。
1、电流输入电路都是通过固定电阻把电流转换为电压。然后用稳压二极管箝位4mA对应的电压,4mA以上才可以对光耦导通。还要保证20mA时对应光耦电流不超过额定值。
2、方法一:在输入端输入一个正弦交流信号,用双踪示波器观察比较输入和输出的波形。波形一致,表示线性度好。采用不同的正弦交流信号频率,从低到高,可以测得该隔离电路不同频段的线性度。
3、,7脚间的光电三级无论如何也要有压降的,且R2有负反馈作用,影响三极管导通程度,所以7,8脚间压降不会太小。你可以考虑提高8脚电压,提高到7V估计就可以了。
你说的控制导通脚使用内置过零检测的MOC3081是不行的,无法实现调节导通角,他总是在过零时才会开启。这个图用的是MOC3051(任意相位触发),是可以的。
双向可控硅正负半波都能导通,正负半波全导通,白炽灯实际两端就是全电压,消耗的功率的关系是1;正负半波导通角度为全为90度时为1/4。
可控硅调光的原理:电位器RV2调整可控硅(TRIAC)的相位角,当VC3超过DIAC的击穿电压时,可控硅会导通。
PWM调光 数字调光又称PWM调光,通过PWM波开启和关闭LED来改变正向电流的导通时间,以达到亮度调节的效果。脉宽调制(PWM)是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的。
单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
例如PWM信号),也要给驱动级(MOS管的推动电路)传送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC,这样可以降低成本。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为1V~4V,标称3V;7V的锂电池,饱和是2V,选择3V工作的单片机,足够驱动了。
有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式 像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。
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