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1、我的附图中的MOS管是复合管，LNQ_CTL是单片机可以直接控制的；其他的就不用我说了吧；但是你要是用普通的mos管，则需要添加辅助驱动电路了，但是基本的原理是一样。
2、很多的MOS 管都能承受24V、3A，如IRF320IRF250。
3、V控制24V，再用这个24V去控制mos管。三极管电流不需要选大的，普通的就行了，mos管选个电流大点的。
4、用三极管多方便，非要用MOS也行。继电器的电流应该不大，耐压24V以上、电流超过1A的基本都可以用。我没用过电流这么小的MOS，不了解具体型号。
5、用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。
1、可以这样复合，因为场效应管是电压控制电流型器件，其输出电流不能直接输入下一个场效应管的输入；但三极管是电流控制电流型器件，则可以用场效应管的输出电流控制三极管输出电流，得到较高的放大系数。
2、图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接，Ib没有通路（即Ib=0），所以不能构成复合管；(e)图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极与右管的栅极相接连接，左管的漏极电流Id1没有通路因而不能工作。
3、不能。三极管发射极无电流，场效应管是电压放大型器件，工作于开关状态，所以不能组成复合管。
4、场效应管的电流是源极与漏极之间的电流，与栅极取不取电流无关。
焊机用IGBT管和MOS管的区别 MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
IGBT焊机和MOS管有3点不同：两者的含义不同：IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管的含义：MOS管，是MOSFET的缩写。
你写错了，应该是IGBT。IGBT与MOS管都是栅电压控制漏电流的，电压控制电流型器件。二者的区别在于，IGBT是双极型器件，也就是在其导通时，是两种载流子同时参与导电；而MOS管是单极型器件，导通时，只有一种载流子参与导电。
1、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
2、IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
3、区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。
1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，广泛应用于大规模集成电路中。
3、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
5、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
关键词：功率电子开关器件 电子开关器件 可控硅 开关器件 三极管与mos管 三极管是电流控制电流 继电器 大功率电子开关器件 控制MOS管 复合mos管 三极管输出 三极管发射极 mos管
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