低压mos管（低压MOS管直销）

发布时间：2023-06-11

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电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子，以单节2V电池的保护板会用到低压线路，现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS，封装一般已贴片为主，用量蛮大。

①、关于以上这lRFZ24N属于N-M0SFET，功率场效应管，其参数是：//耐压：50V//电流：17A//功率：60W//。②、关于以上这lRFZ34N属于N-M0SFET，功率场效应管其参数是：//耐压：60V//电流：30A//功率：90W//。

能代换的有很多，比如IRF320373805，不过与13007不同，它是高压三极管。【补充】：如图为场效应管实物图场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

伏，49安，94瓦。TO-220AB封装，管脚向下，面对有字的一面，从左到右依次为：G栅极，D，S.可以用飞利浦的产品IRFZ44N，虽然型号一样，但是功率110瓦，比其他厂家高一些。SSP60N06是更大一些的，可以用来代替升级。

低压mos管（低压MOS管直销）

场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

都是MOS，大多用于开关作用高阀值的适合高电压PWM驱动，比如10V以上的；低阀值的适合低电压PWM驱动，比如5V左右的。

1、FHP740 是MOS管场效应管，直插 TO-220封装，主要参数是 400V/ 10A 。IRF3205 场效应管，主要参数是 55V /110A ，常用于逆变器。

2、f3205z的类型是MOS场效应管。封装TO-220AB，参数VDSS = 55V，ID = 75A，RDS(on) = 5mΩ，170W。

3、飞虹FHP3205低压MOS管是N沟道沟槽工艺MOS管，适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。

4、主要参数是130A/60V ，TO-3P封装，常用于逆变器，电焊机。IRF3205PBF 是N沟道MOS场效应管，主要参数是110A/55V， TO-220封装，常用于电动车控制器。两种型号的应用场景不同，外形不同，谈不上哪个好那个不好。

5、电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。