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什么是肖特基二极管（什么是肖特基二极管,他的特性参数选择与测量）

发布时间：2023-06-11
阅读量：53

本文目录一览：

什么是肖特基二极管,有何特点?

特点：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路，场效应管是三极管一，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。

肖特基二极管，是一种低功耗，超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短（可以短至几纳秒），而正向压降仅为0.4V左右。

肖特基二极管是以它的发明人的名字而命名的，又被称作是肖特基势垒二极管。它是一种功耗比较低、超高速的半导体器件。

什么是肖特基二极管,它与普通二极管有什么区别?

1、所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下：肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短，所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低，一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低，因此功耗低。

2、肖特基二极管与普通二极管的区别：内阻不同，压降不同。内阻不同：肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

3、肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。

4、肖特基二管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

肖特基二极管的有关信息

1、肖特基二极管的高度要比PN结势垒的高度更低，同时它正向导通门限电压以及正向电压都要比PN结二极管低。2 肖特基二极管是一种多数载流子导电的器件，而且它的电容的充电和放电时间和速度与同类的器件相比有所不同。

2、肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。

3、导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。

4、肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。

5、肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。

6、肖特基二极管，是一种低功耗，超高速半导体器件。最显着的特点是反向恢复时间非常短（可以短至几纳秒），而正向压降仅为0.4V左右。

肖特基二极管与普通二极管有什么区别?

肖特基二极管与普通二极管区别如下：正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。

所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下：肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短，所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低，一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低，因此功耗低。

肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。

肖特基二管具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）；正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。

什么是肖特基二极管?它的作用是什么?

肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。

肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。

作用：（1）肖特基二极管是一种热载流子二极管。

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始 电压 较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其 半导体材料 采用硅或 砷化镓 ，多为型半导体。

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